研究発表 - 原田 義之
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「ＨＦエッチングしたＳｉ（００１）基板上にＥＣＲ－ＭＢＥ成長したＧａＮ薄膜の評価」
淀徳男,安藤弘法、野瀬井大樹、原田義之，田村誠男
口頭（一般）
2001年03月 -
「ＺｎＯ微粒子の励起子発光」
原田 義之， 平井 豪，松枝 圭一、伊藤 正
口頭（一般）
2001年03月 -
「アルカリハライド結晶に分散したミクロンサイズの銅ハライド微粒子の励起子」
原田 義之， 平井 豪，松枝 圭一、伊藤 正
口頭（一般）
2001年03月 -
「アルカリハライド結晶に分散した半導体微粒子における励起子束縛状態」
平井 豪，原田 義之，橋本 哲、松枝 圭一、伊藤 正
口頭（一般）
2000年12月 -
"L uminescence of colloidal semiconductor particles dispersed in alkali halide matrices"
T.Hirai,Y.Harada,S Hasimoto,K.Edomatsu,T.Itoh
口頭（一般）
2000年11月 -
”Infuences of Molecules,Nitrongen Radical Atoms and Nitrogen,MolecularIons on Growth Process and Crystal Structure of GaN Heteroepitaxial Layers Grown on Si(001) and Si(111) substrates by Molecular-Beam Epitaxy Assisted by Electron Cyclotron Resdonnance”
Tokyuo YODA,Hironori ANDO,Hironori TSUCHIYA,Daiki NOSEI,Masakazu SHIMENO,Yoshiyuki HARADA,Mitsuyasu FURUSAWA and Mamoru
口頭（一般）
2000年09月 -
”Infuences of substrate nitridation before growth on initial growth process of GaN heteroepitaxial layers grown on Si(001) and Si(111) substrates by ECR-MBE”
T.Yodo,H.Ando，H.Tsuchiya,D.Nosei,M.Shimeno,Y.Harada
口頭（一般）
2000年09月 -
「ＥＣＲプラズマＭＢＥ法を用いて作製したＳｉ基板上ＧaN膜へのAｓ添加効果（Ⅱ）」
淀徳男、野瀬井大樹、志野正和、安藤弘法，原田義之，古澤光康、吉本 護
口頭（一般）
2000年09月 -
「Ｓｉ基板上にECR-MBE成長したGaN膜の成長初期過程による影響」
安藤弘法、淀徳男、野瀬井大樹、志野正和、原田義之，古澤光康、吉本 護
口頭（一般）
2000年09月 -
「アルカリハライド結晶中に分散した半導体微粒子の発光」
平井 豪，原田 義之，橋本 哲、伊藤 正
口頭（一般）
2000年08月 -
Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ａｎｄ ｄｅｆｅｃｔ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｕｎｄｅｒ ＡｒＦ ｅｘｃｉｍｅｒ ｌａｓｅｒ ｌｉｇｈｔ ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ ｉｎ ａｌｋａｌｉ ｉｏｄｉｄｅ ｃｒｙｓｔａｌｓ
Ｓ．Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ，Ｎ．Ｉｃｈｉｍｕｒａ，Ｈ．Ｋｏｎｄｏ ａｎｄ Ｙ．Ｈａｒａｄａ，
国際会議 ポスター（一般）
1998年10月 -
ZnSe中のドナー不純物による遠赤外磁気光吸収Ⅱ
原田義之・中田博保・大山忠司・大川和弘・林 茂生・一色 実
日本物理学会第52回年会 ( 名古屋市、名城大学 ) 口頭（一般）
1997年03月 -
ZnSe中のドナー不純物による遠赤外磁気光吸収
原田義之・中田博保・大山忠司・大川和弘・林 茂生・一色 実
日本物理学会1996年秋季分科会 ( 山口市、山口大学 ) 口頭（一般）
1996年10月 -
Far-infrared study on Lattice Relaxation Phenomenon of Deep Defects in Cl-doped ZnSe
Y.Harada H.Nakata T.Ohyama K.Ohkawa and M.Isshiki
国際会議 ( ドイツ・ベルリン ) 口頭（一般）
1996年07月 -
Internal Stark Effect by Inhomogeneous Electric Fields in Compensated Ge
Y. Harada, K. Fujii, T. Ohyama, E. E. Haller and K. Itoh
国際会議 ( 仙台市・東北大学 ) 口頭（一般）
1994年10月 -
高い補償比をもつＧｅにおける不均一な内部電場効果II
原田義之，藤井研一，大山忠司
日本物理学会秋季大会 ( 静岡市・静岡大学 ) 口頭（一般）
1994年09月 -
Stark-Broadening by Inhomogeneous Electric Field in Compensated Germanium
Y. Harada, K. Fujii, T. Ohyama, E. E. Haller and K. Itoh
国際会議 The 6th international conference on shallow level centers in semiconductors ( Berkeley, America ) ポスター（一般）
1994年08月 -
高い補償比をもつGeにおける不均一な内部電場効果
原田義之，藤井研一，大山忠司
日本物理学会年会 ( 福岡市・福岡工業大学 ) 口頭（一般）
1994年03月 -
高い補償比をもつInSbにおける不均一な内部電場効果
原田義之，藤井研一，大山忠司
日本物理学会秋季大会 ( 岡山市・岡山大学 ) 口頭（一般）
1993年10月 -
炭素フラーレン系分子の赤外吸収II
原田義之，大山忠司，伊藤啓行，松尾武清，斎藤弥八，篠原久典，田代考二，小林雅通
日本物理学会年会 ( 仙台市・東北大学 ) 口頭（一般）
1993年03月