研究発表 - 原田 義之
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ECRプラズマMBE法を用いたInN薄膜成長
淀 徳男・輿名広彰・津田克裕・小野寺隆晃・岡崎克紀・森永智和・葛籠正樹・原田義之・吉本 護
口頭（一般）
2002年09月 -
Si(111)基板上InN薄膜の成長後アニーリングによる影響
淀 徳男・津田克裕・輿名広彰・小野寺隆晃・岡崎克紀・森永智和・葛籠正樹・原田義之・吉本 護
口頭（一般）
2002年09月 -
Si(111)基板上GaNの成長後アニールによる膜質への影響
淀 徳男・松浦 大・山田 勝・藤田亮平・福西正明・東 洋平・芳岡文暁・速水一仁・原田義之
口頭（一般）
2002年09月 -
ECRプラズマMBE法を用いて作製したSi基板上に成長したGaNのバッファ層による影響
山田 勝・藤田亮平・松浦 大・福西正明・東 洋平・芳岡文暁・速水一仁・原田義之・淀 徳男
口頭（一般）
2002年09月 -
Characterization of polycrystalline GaN layers grown on alkali metal-free glass substrates by molecular-beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma
T.Yodo, T.Hirano and Y.Harada
口頭（一般）
2002年09月 -
ZnO微粒子の励起子発光と光学利得Ⅱ
原田義之・近藤久男・橋本 哲
口頭（一般）
2002年09月 -
Growth and characterization of InN heteroepitaxial layers grown on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma
T.Yodo, H.Yona, K.Iwai, N.Toyotomi and Y.Harada
( 伊豆 ) 口頭（一般）
2002年06月 -
Influences of substrate anneal before growth on initial growth process and characteristics for GaN heteroepitaxial layers grown on Si(111) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy
T.Yodo, M.Yamada, M.Araki, N.Enosaki, S.Umasaki, Y.Harada, A.Sasaki, and M.Yoshimoto
口頭（一般）
2002年06月 -
Characterization of GaN layers grown on alkali metal-free glass substrates by molecular-beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma
T.Yodo, T.Hirano and Y.Harada
口頭（一般）
2002年06月 -
「ECRプラズマMBE法を用いたSi(111)基板上へのInN薄膜成長」
淀 徳男・與名 広彰・岩井 健・豊富 直之・原田 義之・吉本 護
口頭（一般）
2002年03月 -
「ECRプラズマMBE法を用いて作製したSi基板上GaNエピタキシャル成長」
淀 徳男・山田 勝・荒木 正人・榎崎 直樹・平野 敏範・馬崎 真一・藤田 亮平・原田 義之・吉本 護
口頭（一般）
2002年03月 -
「ECRプラズマMBE法を用いた無アルカリガラス基板上へのGaN薄膜成長」
淀 徳男・平野 敏範・岩井 健・馬崎 真一・藤田 亮平・山田 勝・豊富 直之・原田 義之
口頭（一般）
2002年03月 -
「ZnO微粒子の励起子分子発光と光学利得」
原田 義之・橋本 哲
口頭（一般）
2002年03月 -
「アルカリハライド薄膜中に埋め込んだ微粒子の光学特性Ⅲ」
原田 義之、近藤 久雄、橋本 哲
口頭（一般）
2001年09月 -
「ＫＩ結晶に分散したＣｕＩ微粒子の励起子Ⅱ」
平井 豪，原田 義之，橋本 哲、松枝 圭一、伊藤 正
口頭（一般）
2001年09月 -
「ZnO微粒子の励起子分子によるレーザー発振」
原田 義之・橋本 哲
口頭（一般）
2001年09月 -
「アルカリハライド結晶に分散したミクロンサイズの半導体微粒子の励起子状態」
平井 豪・原田 義之・橋本 哲・松枝 圭一・伊藤 正
口頭（一般）
2001年09月 -
「ECRプラズマMBE法を用いて作製したSi基板上GaN成長初期過程における基板熱処理の影響」
淀 徳男・山田 勝・荒木 正人・榎崎 直樹・平野 敏範・馬崎 真一・藤田 亮平・原田 義之・吉本 護
口頭（一般）
2001年09月 -
「ECRプラズマMBE法を用いたSi(111)基板上へのInN薄膜成長」
淀 徳男・與名 広彰・岩井 健・豊富 直之・原田 義之・吉本 護
口頭（一般）
2001年09月 -
「ECRプラズマMBE法を用いて作製したSi基板上GaN膜への成長基板窒素の影響」
淀徳男,安藤弘法、野瀬井大樹、原田義之，田村誠男
口頭（一般）
2001年03月