研究発表 - 原田 義之
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酸化亜鉛微粒子の励起子発光のアニール効果II
檀原 有吾、平井 豪、原田 義之、大野 宣人
口頭（一般）
2006年09月 -
Influences of substrate nitridation treatment on chrcteristics of hesagonal-GaN films growth on Si(111) subustrates at low-temperatures by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy
T. Yodo, Y. Shiraishi, Y. Harada and M. Yoshimoto
口頭（一般）
2006年07月 -
Influences of thin InN buffer layer on growth mode and characteristics of grown on GaAs(001) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy
T. Yodo, S. Tagawa, T. Yamamoto and Y. Harada
口頭（一般）
2006年07月 -
Effects of nitrogen plasma irradiation during process except for growth rising and lowering temperatures on characteristics of hexagonal-InN films grown on Si(111) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy
T. Yodo, T. Shimada, S. Tagawa, Y. Harada and M. Yoshimoto
口頭（一般）
2006年07月 -
光共振器中のZnO微粒子レーザーII
原田義之，近藤久男，橋本哲
口頭（一般）
2006年03月 -
酸化亜鉛微粒子の励起子発光のアニール効果
檀原有吾，平井豪， 原田義之，大野宣人
口頭（一般）
2006年03月 -
ECR-MBE法によるSi(111)基板上六方晶InN成長における昇温過程のN2プラズマ照射効果
嶋田照也、田本清温、笹間修一、建田一紘、原田義之、淀 徳男
口頭（一般）
2006年03月 -
ECR-MBE法による基板窒化しないSi基板上へのGaN低温成長
白石雄起、福山高章、渕上紘志、尾崎裕季、澤 武尊、原田義之、淀 徳男
口頭（一般）
2006年03月 -
ECR-MBE法を用いた基板窒化しないSi(111)基板上GaNの低温成長
尾崎裕季、澤 武尊、白石雄起、福山高章、原田義之、淀 徳男
口頭（一般）
2006年03月 -
ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長
田川澄人、山本高裕、立花正貴、吉田大真、原田義之、淀 徳男
口頭（一般）
2006年03月 -
ECR-MBE法を用いた低温InNバッファ層のアニール条件の検討
田本清温、嶋田照也、笹間修一、建田一紘、原田義之、淀 徳男
口頭（一般）
2005年09月 -
ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長（III）
山本高裕、田川澄人、立花正貴、吉田大真、原田義之、淀 徳男
口頭（一般）
2005年09月 -
ECR-MBE法によるSi(111)上に成長したGaNバッファ層成長後のアニールの影響
福山高章、渕上紘志、白石雄起、尾崎祐季、澤 武尊、原田義之、淀 徳男
口頭（一般）
2005年09月 -
ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長
淀 徳男、田本清温、嶋田照也、二口博行、藤井洋平、真岡岳史、原田義之
口頭（一般）
2005年05月 -
ECR-MBE法を用いたGaAs(001)基板上立方晶GaNの低温成長
福山高章、渕上紘志、白石雄起、染谷晃嘉、室田将孝、原田義之、淀 徳男
口頭（一般）
2005年03月 -
ECRプラズマMBE法を用いたGaAs基板上立方晶InNの結晶成長（II）
山本高裕、高山智行、香山卓司、中村俊喜、立石恵美、原田義之、淀 徳男
口頭（一般）
2005年03月 -
光共振器中のZuO微粒子レーザー発振
原田義之、藤元章、 近藤久男、橋本哲
口頭（一般）
2005年03月 -
ECR-MBE法によるGaAs(001)基板を用いた立方晶GaNの低温成長
白石雄起、福山高章、渕上紘志、染谷晃嘉、室田将孝、原田義之、淀 徳男
口頭（一般）
2005年03月 -
ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長
香山卓司、山本高裕、高山智行、立石恵美、中村俊喜、原田義之、淀 徳男
口頭（一般）
2005年03月 -
ECR-MBE法を用いたSapphire(0001)基板上InN薄膜成長
淀 徳男、田本清温、嶋田照也、二口博行、藤井洋平、真岡岳史、原田義之
口頭（一般）
2004年10月