研究発表 - 原田 義之
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ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長
淀 徳男、田本清温、嶋田照也、二口博行、藤井洋平、真岡岳史、原田義之
口頭（一般）
2005年05月 -
ECR-MBE法を用いたGaAs(001)基板上立方晶GaNの低温成長
福山高章、渕上紘志、白石雄起、染谷晃嘉、室田将孝、原田義之、淀 徳男
口頭（一般）
2005年03月 -
ECRプラズマMBE法を用いたGaAs基板上立方晶InNの結晶成長（II）
山本高裕、高山智行、香山卓司、中村俊喜、立石恵美、原田義之、淀 徳男
口頭（一般）
2005年03月 -
光共振器中のZuO微粒子レーザー発振
原田義之、藤元章、 近藤久男、橋本哲
口頭（一般）
2005年03月 -
ECR-MBE法によるGaAs(001)基板を用いた立方晶GaNの低温成長
白石雄起、福山高章、渕上紘志、染谷晃嘉、室田将孝、原田義之、淀 徳男
口頭（一般）
2005年03月 -
ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長
香山卓司、山本高裕、高山智行、立石恵美、中村俊喜、原田義之、淀 徳男
口頭（一般）
2005年03月 -
ECR-MBE法を用いたSapphire(0001)基板上InN薄膜成長
淀 徳男、田本清温、嶋田照也、二口博行、藤井洋平、真岡岳史、原田義之
口頭（一般）
2004年10月 -
ECR-MBE法を用いたサファイヤ基板上InN薄膜成長温度依存性
田本清温、嶋田照也、二口博行、藤井洋平、真岡岳史、原田義之、淀 徳男
口頭（一般）
2004年09月 -
ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長
山本高裕、高山智行、香山卓司、中村俊喜、立石恵美、原田義之、淀 徳男
口頭（一般）
2004年09月 -
Si(111)基板上へのGaNの低温化による影響
福山高章、渕上紘志、白石雄起、染谷晃嘉、室田将孝、原田義之、淀 徳男
口頭（一般）
2004年09月 -
「ECR-MBE法を用いたSi(111)基板上In1-XGaXN薄膜成長」
田本清温・與名広彰・立済貴彦・福島 創・福山高章・渕上紘志・山本高裕・原田義之・淀 徳男
口頭（一般）
2004年03月 -
「ECRプラズマMBE法を用いたSi基板上InN中の酸素と酸化インジウムの影響」
淀 徳男・北山靖展・宮木一成・輿名広彰・原田義之
口頭（一般）
2004年03月 -
「ECR-MBE法によるInGaN結晶成長」
山本高裕・立済貴彦・田本清温・福島 創・福山高章・輿名広彰・原田義之・淀 徳男
口頭（一般）
2004年03月 -
「ECRプラズマMBE法を用いたSi(111)基板上GaN薄膜の低温成長に関する研究」
小田剛正・山田 勝・渕上紘志・高山智行・岡本憲昭・入國敦夫・淀 徳男・原田義之
口頭（一般）
2004年03月 -
「InN薄膜の酸化による効果」
北山靖展・宮木一成・輿名広彰・淀 徳男・原田義之
口頭（一般）
2004年03月 -
「ECR-MBE法を用いたSi基板上InGaN薄膜成長」
與名広彰・山本高裕、田本清温・福山高章・宮木一成・立済貴彦・福島 創・北山靖展・葛籠正樹・原田義之・淀 徳男
口頭（一般）
2003年09月 -
「ECR-MBE法により作製したSi(111)基板上GaNの低温成長」
山田 勝、藤田亮平、岡本憲昭、小田剛正、高山智行、渕上紘志、入國敦夫、原田義之、淀 徳男
口頭（一般）
2003年09月 -
「ECRプラズマMBE法を用いたSi基板上InNの酸素アニール効果」
淀 徳男・與名広彰・北山靖展・原田義之
口頭（一般）
2003年08月 -
Low temperature growth of GaN films on Si(111) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy
T. Yodo, R. Fujita, M. Yamada and Y. Harada
口頭（一般）
2003年07月 -
Effect of substrate bias voltage under growth on characteristics of InN films grown by molecular-beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma
H. Yona, Y. Harada and T. Yodo
口頭（一般）
2003年05月