論文 - 原田　義之

Low temperature growth of cubic-GaN films on GaAs(001) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy

T. Yodo, T. Fukuyama, Y. Shiraishi, K. Fuchigami and Y. Harada  ( 共著 )

Extended Abstracts of 24th Electronic Materials Symposium   K11   pp. 249-250   2005年07月

研究論文（学術雑誌）  英語

Growth of cubic-InN films on GaAs(001) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy

T. Yodo, T. Yamamoto, T. Kohyama, T. Nakamura and Y. Harada  ( 共著 )

Extended Abstracts of 24th Electronic Materials Symposium   H7   pp. 173-174   2005年07月

研究論文（学術雑誌）  英語

Luminescence of excitons in mesoscopic ZnO particles

T. Hirai, Y. Harada, S. Hashimoto, T. Itoh and N. Ohno

Journal of Luminescence   112   pp. 196-199.   2005年01月

研究論文（学術雑誌）  英語

アインシュタイン「展示と模擬実験」

林正人，尾崎一彦，奥田賢三，中西章，中野正浩，大場康行，原田義之，藤元章，松岡和夫，片山逸雄，西浦宏幸，田中東  ( 共著 )

大阪工業大学紀要(Memoirs of the Osaka Institute of Technology), Series A   50   pp.121～137   2005年01月

研究論文（大学，研究機関紀要）  日本語

Luminescence of bound excitons in ZnO:Zn phosphor powders

T. Hirai, Y. Harada, S. Hashimoto, T. Itoh, and N. Ohno  ( 共著 )

Journal of Luminescence   113   pp. 115-120   2005年01月

研究論文（学術雑誌）  英語

Influences of In2O3 crystal grains formed by anneal on characteristics of hexagonal InN crystalline films grown on Si(111) substrates

Tokuo Yodo, Yasunobu Kitayama, Kazunari Miyaki, Hiroaki Yona, and Yoshiyuki Harada  ( 共著 )

Jpn. J. Appl. Phys.   43 ( 2A ) pp. L139-L141   2004年01月

研究論文（学術雑誌）  英語

ECR-assisted MBE growth of In1-XGaXN heteroepitaxial films on Si

Tokuo Yodo, Yasunari Kitayama, Kazu-nari Miyaki, Hiroaki Yona, Yoshiyuki Harada  ( 共著 )

Superlattices and Microstrucures   36   pp. 547-561   2004年01月

研究論文（学術雑誌）  英語

Visible Emissions Near 1.9-2.2 eV From Hexagonal InN Films Grown By Electron Cyclotron Resonance Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy

Tokuo Yodo, Yasunobu Kitayama, Kazunari Miyaki, Hiroaki Yona, Yoshiyuki, Harada, Kathryn E. Prince and K. Scott A. Butcher  ( 共著 )

J. Cryst. Growth   269   pp. 145-154   2004年01月

研究論文（学術雑誌）  英語

Low temperature growth of GaN films on Si(111) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy

T. Yodo, R. Fujita, M. Yamada and Y. Harada  ( 共著 )

Extended Abstracts of 22th Electronic Materials Symposium     pp. 191-192   2003年07月

研究論文（学術雑誌）  英語

Effect of substrate bias voltage under growth on characteristics of InN films grown by molecular-beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma

H. Yona, Y. Harada and T. Yodo  ( 共著 )

Proc. of the 5th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-5,     p. 411   2003年05月

研究論文（学術雑誌）  英語

Visible emissions near 2.2 eV from InN films grown on Si (111) and sapphire (0001) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy

T. Yodo, H. Yona, Y. Harada, A. Sasaki and M. Yoshimoto  ( 共著 )

Proc. of the 5th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-5,     p. 412   2003年05月

研究論文（学術雑誌）  英語

Enhancement of band-edge photoluminescence of bulk ZnO single crystals coated with alkali halide

Y. Harada, and S. Hashimoto  ( 共著 )

Physical. Review   B68   pp.045421-1- 045421-4   2003年01月

研究論文（学術雑誌）  英語

物理実験における教育支援用ディスプレイシステムの有効性

大場康行，片山逸雄，原田義之，中村正彦  ( 共著 )

大阪工業大学紀要 Series A,   48   pp..55-61.   2003年01月

研究論文（大学，研究機関紀要）  日本語

Visible emissions near 2.2 eV from InN films grown on Si (111) and sapphire (0001) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy

T. Yodo, H. Yona, Y. Harada, A. Sasaki and M. Yoshimoto

phys. stat. sol.   (c)0 ( 7 ) pp. 2802-2805   2003年01月

研究論文（学術雑誌）  英語

Effect of substrate bias voltage under growth on characteristics of InN films grown by molecular-beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma

H. Yona, Y. Harada and T. Yodo  ( 共著 )

phys. stat. sol.   (c)0 ( 7 ) pp. 2545-2548   2003年01月

研究論文（学術雑誌）  英語

Characterization of polycrystalline GaN layers grown on alkali metal-free glass substrates by molecular-beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma

T.Yodo, T.Hirano and Y.Harada  ( 共著 )

Extended Abstract of International Conference on Polycrystalline Semiconductors 2002     pp. 80   2002年09月

研究論文（学術雑誌）  英語

Investigation of Initial Growth Process for GaN Heteroepitaxial Layers Grown on Si(001) and Si(111) Substrates by ECR-assisted MBE

T.Yodo and H.Ando and D.Nosei and Y.Harada and M.Tamura  ( 共著 )

J. Cryst. Growth   237-239   pp. 1104-1109   2002年08月

研究論文（学術雑誌）  英語

Growth and characterization of InN heteroepitaxial layers grown on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma

T.Yodo, H.Yona, K.Iwai, N.Toyotomi and Y.Harada  ( 共著 )

21th Electronic Materials Symposium   B3   pp. 9-12   2002年06月

研究論文（学術雑誌）  英語

Influences of substrate anneal before growth on initial growth process and characteristics for GaN heteroepitaxial layers grown on Si(111) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy

T.Yodo, M. Yamada, M. Araki, N. Enosaki, S. Umasaki, Y. Harada, A. Sasaki, and M. Yoshimoto  ( 共著 )

21th Electronic Materials Symposium   B14   pp. 37-40   2002年06月

研究論文（学術雑誌）  英語

Characterization of GaN layers grown on alkali metal-free glass substrates by molecular-beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma

T.Yodo, T.Hirano and Y.Harada  ( 共著 )

21th Electronic Materials Symposium   B4   pp. 13-16   2002年06月

研究論文（学術雑誌）  英語