研究経歴 - 前元　利彦

高移動度InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いた極微系構造の作製と新機能デバイス探索

研究期間：

InAs/AlGaSb、半導体ヘテロ構造、電子波干渉効果、高速トランジスタ、量子ドット構造

高移動度InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いた極微系構造の作製と新機能デバイス探索

研究期間：

InAs/AlGaSb、半導体ヘテロ構造、電子波干渉効果、高速トランジスタ、量子ドット構造

酸化物半導体透明ダイオードの開発とエナジーハーベスティング回路への応用

科学研究費補助金  

研究期間：2016年04月  -  2020年03月

酸化物半導体、透明ダイオード、エナジーハーベスティング

機関内共同研究