研究経歴 - 前元　利彦

InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いたバリスティック電子素子の開発

研究期間：

InAs/AlGaSb，半導体ヘテロ構造，電子波干渉効果，高速トランジスタ，量子ドット構造

レーザMBE法による酸化物薄膜の作製と新機能デバイスの開発

研究期間：

レーザMBE，酸化物薄膜，酸化亜鉛，高誘電率酸化膜

高誘電率酸化物(High-k)薄膜を用いた高速トランジスタの作製と評価

研究期間：

High-k材料，HEMT（高電子移動度トランジスタ）

InAs/AlSb系量子ナノ構造を用いたテラヘルツ波単一光子検出器の開発

研究期間：

InAs/AlSb，ナノ構造，テラヘルツ波，光子検出器

InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いたバリスティック電子素子の開発

研究期間：

InAs/AlGaSb，半導体ヘテロ構造，電子波干渉効果，高速トランジスタ，量子ドット構造

レーザMBE法による酸化物薄膜の作製と新機能デバイスの開発

研究期間：

レーザMBE，酸化物薄膜，酸化亜鉛，高誘電率酸化膜

高誘電率酸化物(High-k)薄膜を用いた高速トランジスタの作製と評価

研究期間：

High-k材料，HEMT（高電子移動度トランジスタ）

InAs/AlSb系量子ナノ構造を用いたテラヘルツ波単一光子検出器の開発

研究期間：

InAs/AlSb，ナノ構造，テラヘルツ波，光子検出器

InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いたバリスティック電子素子の開発

研究期間：

InAs/AlGaSb，半導体ヘテロ構造，電子波干渉効果，高速トランジスタ，量子ドット構造

レーザMBE法による酸化物薄膜の作製と新機能デバイスの開発

研究期間：

レーザMBE，酸化物薄膜，酸化亜鉛，高誘電率酸化膜

高誘電率酸化物(High-k)薄膜を用いた高速トランジスタの作製と評価

研究期間：

High-k材料，HEMT（高電子移動度トランジスタ）

InAs/AlSb系量子ナノ構造を用いたテラヘルツ波単一光子検出器の開発

研究期間：

InAs/AlSb，ナノ構造，テラヘルツ波，光子検出器

InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いたバリスティック電子素子の開発

研究期間：

InAs/AlGaSb，半導体ヘテロ構造，電子波干渉効果，高速トランジスタ，量子ドット構造

レーザMBE法による酸化物薄膜の作製と新機能デバイスの開発

研究期間：

レーザMBE，酸化物薄膜，酸化亜鉛，高誘電率酸化膜

高誘電率酸化物(High-k)薄膜を用いた高速トランジスタの作製と評価

研究期間：

High-k材料，HEMT（高電子移動度トランジスタ）

InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いたバリスティック電子素子の開発

研究期間：

InAs/AlGaSb、半導体ヘテロ構造、電子波干渉効果、高速トランジスタ、量子ドット構造

レーザMBE法による酸化物薄膜の作製と新機能デバイスの開発

研究期間：

レーザMBE，酸化物薄膜，酸化亜鉛

高誘電率酸化物(High-k)薄膜を用いた高速トランジスタの作製と評価

研究期間：

High-k材料，HEMT（高電子移動度トランジスタ）

InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いた電子波干渉デバイスと量子効果トランジスタの開発と高温動作

研究期間：

InAs/AlGaSb、半導体ヘテロ構造、電子波干渉効果、高速トランジスタ、量子ドット構造

InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いた電子波干渉デバイスと量子効果トランジスタの開発と高温動作

研究期間：

InAs/AlGaSb、半導体ヘテロ構造、電子波干渉効果、高速トランジスタ、量子ドット構造