研究経歴 - 前元 利彦
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酸化物半導体を用いた高性能薄膜トランジスタの開発とフレキシブル化に関する研究
科学研究費補助金
研究期間：2016年04月 - 2024年03月
酸化物半導体、薄膜トランジスタ、フレキシブル化
機関内共同研究
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酸化物半導体透明ダイオードの開発とエナジーハーベスティング回路への応用
科学研究費補助金
研究期間：2016年04月 - 2024年03月
酸化物半導体、透明ダイオード、エナジーハーベスティング
機関内共同研究
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溶液法を用いた酸化物薄膜トランジスタの開発と低温化プロセスの開発
科学研究費補助金
研究期間：2016年04月 - 2024年03月
溶液法、酸化物薄膜トランジスタ、低温化プロセス
機関内共同研究
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InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いたバリスティック電子素子の開発
研究期間：
InAs/AlGaSb，半導体ヘテロ構造，電子波干渉効果，高速トランジスタ，量子ドット構造
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レーザMBE法による酸化物薄膜の作製と新機能デバイスの開発
研究期間：
レーザMBE，酸化物薄膜，酸化亜鉛，高誘電率酸化膜
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高誘電率酸化物(High-k)薄膜を用いた高速トランジスタの作製と評価
研究期間：
High-k材料，HEMT（高電子移動度トランジスタ）
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InAs/AlSb系量子ナノ構造を用いたテラヘルツ波単一光子検出器の開発
研究期間：
InAs/AlSb，ナノ構造，テラヘルツ波，光子検出器
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InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いたバリスティック電子素子の開発
研究期間：
InAs/AlGaSb，半導体ヘテロ構造，電子波干渉効果，高速トランジスタ，量子ドット構造
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レーザMBE法による酸化物薄膜の作製と新機能デバイスの開発
研究期間：
レーザMBE，酸化物薄膜，酸化亜鉛，高誘電率酸化膜
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高誘電率酸化物(High-k)薄膜を用いた高速トランジスタの作製と評価
研究期間：
High-k材料，HEMT（高電子移動度トランジスタ）
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InAs/AlSb系量子ナノ構造を用いたテラヘルツ波単一光子検出器の開発
研究期間：
InAs/AlSb，ナノ構造，テラヘルツ波，光子検出器
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InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いたバリスティック電子素子の開発
研究期間：
InAs/AlGaSb，半導体ヘテロ構造，電子波干渉効果，高速トランジスタ，量子ドット構造
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レーザMBE法による酸化物薄膜の作製と新機能デバイスの開発
研究期間：
レーザMBE，酸化物薄膜，酸化亜鉛，高誘電率酸化膜
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高誘電率酸化物(High-k)薄膜を用いた高速トランジスタの作製と評価
研究期間：
High-k材料，HEMT（高電子移動度トランジスタ）
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InAs/AlSb系量子ナノ構造を用いたテラヘルツ波単一光子検出器の開発
研究期間：
InAs/AlSb，ナノ構造，テラヘルツ波，光子検出器
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InAs/AlSb系量子ナノ構造を用いたテラヘルツ波単一光子検出器の開発
研究期間：
InAs/AlSb，ナノ構造，テラヘルツ波，光子検出器
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InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いたバリスティック電子素子の開発
研究期間：
InAs/AlGaSb，半導体ヘテロ構造，電子波干渉効果，高速トランジスタ，量子ドット構造
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レーザMBE法による酸化物薄膜の作製と薄膜トランジスタ応用ならびに新機能デバイスの開発
研究期間：
レーザMBE，酸化物薄膜，酸化亜鉛，薄膜トランジスタ，ガスセンサ，ナノ発電素子
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Si基板上III-V族半導体/High-kゲートを用いた新構造トランジスタの開発
研究期間：
III-V族半導体，High-k材料，HEMT（高電子移動度トランジスタ），
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InAs/AlSb系量子ナノ構造を用いたテラヘルツ波単一光子検出器の開発
研究期間：
InAs/AlSb，ナノ構造，テラヘルツ波，光子検出器
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InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いたバリスティック電子素子の開発
研究期間：
InAs/AlGaSb，半導体ヘテロ構造，電子波干渉効果，高速トランジスタ，量子ドット構造
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レーザMBE法による酸化物薄膜の作製と新機能デバイスの開発
研究期間：
レーザMBE，酸化物薄膜，酸化亜鉛，高誘電率酸化膜
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高誘電率酸化物(High-k)薄膜を用いた高速トランジスタの作製と評価
研究期間：
High-k材料，HEMT（高電子移動度トランジスタ）
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InAs/AlSb系量子ナノ構造を用いたテラヘルツ波単一光子検出器の開発
研究期間：
InAs/AlSb，ナノ構造，テラヘルツ波，光子検出器
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InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いたバリスティック電子素子の開発
研究期間：
InAs/AlGaSb，半導体ヘテロ構造，電子波干渉効果，高速トランジスタ，量子ドット構造
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レーザMBE法による酸化物薄膜の作製と新機能デバイスの開発
研究期間：
レーザMBE，酸化物薄膜，酸化亜鉛，高誘電率酸化膜
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高誘電率酸化物(High-k)薄膜を用いた高速トランジスタの作製と評価
研究期間：
High-k材料，HEMT（高電子移動度トランジスタ）
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InAs/AlSb系量子ナノ構造を用いたテラヘルツ波単一光子検出器の開発
研究期間：
InAs/AlSb，ナノ構造，テラヘルツ波，光子検出器
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InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いたバリスティック電子素子の開発
研究期間：
InAs/AlGaSb，半導体ヘテロ構造，電子波干渉効果，高速トランジスタ，量子ドット構造
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レーザMBE法による酸化物薄膜の作製と新機能デバイスの開発
研究期間：
レーザMBE，酸化物薄膜，酸化亜鉛，高誘電率酸化膜
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高誘電率酸化物(High-k)薄膜を用いた高速トランジスタの作製と評価
研究期間：
High-k材料，HEMT（高電子移動度トランジスタ）
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InAs/AlSb系量子ナノ構造を用いたテラヘルツ波単一光子検出器の開発
研究期間：
InAs/AlSb，ナノ構造，テラヘルツ波，光子検出器
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InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いたバリスティック電子素子の開発
研究期間：
InAs/AlGaSb，半導体ヘテロ構造，電子波干渉効果，高速トランジスタ，量子ドット構造
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レーザMBE法による酸化物薄膜の作製と新機能デバイスの開発
研究期間：
レーザMBE，酸化物薄膜，酸化亜鉛，高誘電率酸化膜
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高誘電率酸化物(High-k)薄膜を用いた高速トランジスタの作製と評価
研究期間：
High-k材料，HEMT（高電子移動度トランジスタ）
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InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いたバリスティック電子素子の開発
研究期間：
InAs/AlGaSb、半導体ヘテロ構造、電子波干渉効果、高速トランジスタ、量子ドット構造
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レーザMBE法による酸化物薄膜の作製と新機能デバイスの開発
研究期間：
レーザMBE，酸化物薄膜，酸化亜鉛
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高誘電率酸化物(High-k)薄膜を用いた高速トランジスタの作製と評価
研究期間：
High-k材料，HEMT（高電子移動度トランジスタ）
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InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いた電子波干渉デバイスと量子効果トランジスタの開発と高温動作
研究期間：
InAs/AlGaSb、半導体ヘテロ構造、電子波干渉効果、高速トランジスタ、量子ドット構造
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InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いた電子波干渉デバイスと量子効果トランジスタの開発と高温動作
研究期間：
InAs/AlGaSb、半導体ヘテロ構造、電子波干渉効果、高速トランジスタ、量子ドット構造
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高移動度InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いた極微系構造の作製と新機能デバイス探索
研究期間：
InAs/AlGaSb、半導体ヘテロ構造、電子波干渉効果、高速トランジスタ、量子ドット構造
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高移動度InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いた極微系構造の作製と新機能デバイス探索
研究期間：
InAs/AlGaSb、半導体ヘテロ構造、電子波干渉効果、高速トランジスタ、量子ドット構造
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酸化物半導体透明ダイオードの開発とエナジーハーベスティング回路への応用
科学研究費補助金
研究期間：2016年04月 - 2020年03月
酸化物半導体、透明ダイオード、エナジーハーベスティング
機関内共同研究