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職名 |
助教授・准教授 |
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研究分野・キーワード |
高周波集積回路、無線電力伝送、双方向性結合器、RFフロントエンドモジュール |
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ホームページ |
金城 良守 (カネシロ ヨシモリ)
Yoshimori Kaneshiro
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所属学会委員歴 【 表示 ／ 非表示 】
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2007年04月-2009年11月
IEEE A-SSCC Technical Program Committee RF Sub-Committee
論文 【 表示 ／ 非表示 】
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Directivity Improvement of Directional Coupler with Adaptive Complex Termination Impedance
Keisuke Ninomiya, Yuta Miyazaki, Kazuhito Osawa, Kenta Seki, Ryangsu Kim ( 共著 )
IEEE Asia-Pacific Microwave Conference (APMC) 2023 2023年12月
研究論文（国際会議プロシーディングス） 英語
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Dual-Band Single-Output WLAN Directional Coupler in a SOI CMOS Process
Ryangsu Kim, Kenta Seki, Kazuhito Osawa ( 共著 )
IEEE International Meeting for Future of Electron Devices (IMFEDK) 2022 2022年11月
研究論文（国際会議プロシーディングス） 英語
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A 10.8mA Single Chip Transceiver for 430MHz Narrowband Systems in 0.15um CMOS
G. Hayashi, A. Sawada, T. Morie, K. Matsuyama, Ryangsu Kim, S. Yoshida, A. Matsumoto, K. Hijikata, K. Matsukawa, Y. Tamura, Jun Ogawa, T. Takita ( 共著 )
IEEE ISSCC 2006 2006年02月
研究論文（国際会議プロシーディングス） 英語
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Photoluminescence study of {311} defect-precursors in self-implanted silicon
H. Tsuji, R. Kim, T. Hirose, T. Shano, Y. Kamakura, and K. Taniguchi ( 共著 )
Materials Science and Engineering: B 91/92 ( 30 ) 43 - 45 2002年04月
研究論文（学術雑誌） 英語
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Atomic configuration study of implanted F in Si based on experimental evidence and ab initio calculations
H. Tsuji, R. Kim, T. Hirose, T. Shano, Y. Kamakura, and K. Taniguchi ( 共著 )
Materials Science and Engineering: B 91/92 ( 30 ) 148 - 151 2002年04月
研究論文（学術雑誌） 英語
工業所有権 【 表示 ／ 非表示 】
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Directional coupler
特許
特許：US11837770
Kenta Seki, Ryangsu Kim, Katsuya Shimizu
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2023年12月05日
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Directional coupler
特許
特許：US11699983
Daisuke Tokuda, Ryangsu Kim, Yasushi Shigeno, Katsuya Shimizu
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2023年07月11日
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Directional coupler
特許
特許：US11509034
Kenta Seki, Yasushi Shigeno, Daisuke Tokuda, Ryangsu Kim, Katsuya Shimizu. Kazuhito OSAWA
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2022年11月22日
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Directional coupler
特許
特許：US11489243
Ryangsu Kim
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2022年11月01日
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Directional coupler
特許
特許：US11456517
Kenta Seki, Yasushi Shigeno, Daisuke TOKUDA, Ryangsu Kim, Katsuya Shimizu, Kazuhito OSAWA
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2022年09月27日
競争的資金等の研究課題 【 表示 ／ 非表示 】
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エネルギーハーベスティングのための高効率かつ高感度なマイクロ波電力伝送受信IC及びシステムの開発
JST GAPファンド
研究期間：2024年04月 - 2025年03月
研究発表 【 表示 ／ 非表示 】
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4G/5G向け高周波フロントエンドSOI CMOS集積回路の技術と設計
金城 良守
国内会議 スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会（SP部会）第179回定例研究会 ( 東京 ) 口頭（招待・特別）
2024年10月 -
Directivity Improvement of Directional Coupler with Adaptive Complex Termination Impedance
Keisuke Ninomiya , Yuta Miyazaki , Kazuhito Osawa , Kenta Seki , Ryangsu Kim
国際会議 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC) 2023 口頭（一般）
2023年12月 -
Dual-Band Single-Output WLAN Directional Coupler in a SOI CMOS Process
Ryangsu Kim, Kenta Seki, Kazuhito Osawa
国際会議 IMFEDK 2022 口頭（一般）
2022年11月 -
A 10.8mA Single Chip Transceiver for 430MHz Narrowband Systems in 0.15um CMOS
G. Hayashi, A. Sawada, T. Morie, K. Matsuyama, Ryangsu Kim, S. Yoshida, A. Matsumoto, K. Hijikata, K. Matsukawa, Y. Tamura, Jun Ogawa, T. Takita
国際会議 ISSCC 2006 口頭（一般）
2006年02月 -
Realization of ultra-shallow junction: suppressed boron diffusion and activation by optimized fluorine co-implantation
T. Shano, R. Kim, T. Hirose, Y. Furuta, H. Tsuji, M. Furuhashi, K. Taniguchi
国際会議 IEDM 2001 口頭（一般）
2001年12月
ティーチング・ポートフォリオ 【 表示 ／ 非表示 】
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2024年度
教育の理念：
専門的能力を培い、真理を深く探究し、創造性を発揮し、その成果を社会に提供する技術者を育成する。
教育の理念の具現化・成果等：
専門分野の徹底指導、研究活動への積極参加、創造性を伸ばす課題設定を実践することで、実社会で革新的技術を創出し、貢献できる技術者を多数輩出する。
今後の目標・改善点等：
実社会で活躍できる人材を育てられるよう、日々教授法を探求・改善し、座学と実践的な演習のバランスを取り、急速に変化する社会において、自ら考え、学び続ける力の育成に注力する。
担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】
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LSI工学 ( 講義 )
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情報通信工学 ( 講義 )
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計算機ハードウェア ( 講義 )
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集積回路設計特論 ( 講義 )
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開発プロセス基礎演習 ( 演習 )