金城 良守 (カネシロ ヨシモリ)

Yoshimori Kaneshiro

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職名

助教授・准教授

研究分野・キーワード

高周波集積回路、RFフロントエンドモジュール

出身学校 【 表示 / 非表示

  • 大阪工業大学   工学部   電気工学   日本国

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 大阪大学  工学研究科  電子情報エネルギー工学  修士課程  修了  日本国

  • 大阪大学  工学研究科  電子情報エネルギー工学  博士課程  修了  日本国

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 大阪大学 -  修士(工学)  電子デバイス・電子機器

  • 大阪大学 -  博士(工学)  電子デバイス・電子機器

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 2007年05月
    -
    継続中
     

    米国電気電子学会(IEEE)  アメリカ合衆国

所属学会委員歴 【 表示 / 非表示

  • 2007年04月
    -
    2009年11月

    IEEE A-SSCC Technical Program Committee   RF Sub-Committee

研究分野 【 表示 / 非表示

  • 集積回路設計、RF-CMOS回路設計、RFフロントエンドモジュール

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Photoluminescence study of {311} defect-precursors in self-implanted silicon

    H. Tsuji, R. Kim, T. Hirose, T. Shano, Y. Kamakura, and K. Taniguchi  ( 共著 )

    Materials Science and Engineering: B   91/92 ( 30 ) 43 - 45   2002年04月

    研究論文(学術雑誌)  英語

  • Atomic configuration study of implanted F in Si based on experimental evidence and ab initio calculations

    H. Tsuji, R. Kim, T. Hirose, T. Shano, Y. Kamakura, and K. Taniguchi  ( 共著 )

    Materials Science and Engineering: B   91/92 ( 30 ) 148 - 151   2002年04月

    研究論文(学術雑誌)  英語

  • Influences of point and extended defects on As diffusion in Si

    R. Kim, T. Hirose, T. Shano, H. Tsuji, and K. Taniguchi  ( 共著 )

    Japanese Journal of Applied Physics   41 ( 1 ) 227 - 231   2002年01月

    研究論文(学術雑誌)  英語

  • Anomalous phosphorus diffusion in Si during postimplantation annealing

    R. Kim, Y. Furuta, S. Hayashi, T. Hirose, T. Shano, H. Tsuji, and K. Taniguchi  ( 共著 )

    Applied Physics Letters   78 ( 24 ) 3818 - 3820   2001年06月

    研究論文(学術雑誌)  英語

  • 低エネルギー注入ボロンの低温熱処理時におけるキンク濃度の解析

    古田善一, 金良守, 夏建新, 青木丈典, 斎藤朋也, 鎌倉良成, 谷口研二  ( 共著 )

    電子情報通信学会論文誌 C-II   J83-C-II   731 - 735   2000年08月

    研究論文(学術雑誌)  日本語

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工業所有権 【 表示 / 非表示

  • Directional coupler

    特許

    特許:US11837770

    Kenta Seki, Ryangsu Kim, Katsuya Shimizu

    出願国:アメリカ合衆国 

    登録日(発行日):2023年12月05日

  • Directional coupler

    特許

    特許:US11699983

    Daisuke Tokuda, Ryangsu Kim, Yasushi Shigeno, Katsuya Shimizu

    出願国:アメリカ合衆国 

    登録日(発行日):2023年07月11日

  • Directional coupler

    特許

    特許:US11509034

    Kenta Seki, Yasushi Shigeno, Daisuke Tokuda, Ryangsu Kim, Katsuya Shimizu. Kazuhito OSAWA

    出願国:アメリカ合衆国 

    登録日(発行日):2022年11月22日

  • Directional coupler

    特許

    特許:US11489243

    Ryangsu Kim

    出願国:アメリカ合衆国 

    登録日(発行日):2022年11月01日

  • Directional coupler

    特許

    特許:US11456517

    Kenta Seki, Yasushi Shigeno, Daisuke TOKUDA, Ryangsu Kim, Katsuya Shimizu, Kazuhito OSAWA

    出願国:アメリカ合衆国 

    登録日(発行日):2022年09月27日

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受賞 【 表示 / 非表示

  • IEEE APMC 2023 Microwave Prize

    IEEE   国際学会・会議・シンポジウム等の賞 

    受賞国:日本国

研究発表 【 表示 / 非表示

  • Directivity Improvement of Directional Coupler with Adaptive Complex Termination Impedance

    Keisuke Ninomiya , Yuta Miyazaki , Kazuhito Osawa , Kenta Seki , Ryangsu Kim

    国際会議  Asia-Pacific Microwave Conference (APMC) 2023  口頭(一般)

    2023年12月
     
     

  • Dual-Band Single-Output WLAN Directional Coupler in a SOI CMOS Process

    Ryangsu Kim, Kenta Seki, Kazuhito Osawa

    国際会議  IMFEDK 2022  口頭(一般)

    2022年11月
     
     

  • A 10.8mA Single Chip Transceiver for 430MHz Narrowband Systems in 0.15um CMOS

    G. Hayashi, A. Sawada, T. Morie, K. Matsuyama, Ryangsu Kim, S. Yoshida, A. Matsumoto, K. Hijikata, K. Matsukawa, Y. Tamura, Jun Ogawa, T. Takita

    国際会議  ISSCC 2006  口頭(一般)

    2006年02月
     
     

  • Realization of ultra-shallow junction: suppressed boron diffusion and activation by optimized fluorine co-implantation

    T. Shano, R. Kim, T. Hirose, Y. Furuta, H. Tsuji, M. Furuhashi, K. Taniguchi

    国際会議  IEDM 2001  口頭(一般)

    2001年12月
     
     

  • Modeling of arsenic transient enhanced diffusion and background boron segregation in low-energy As+ implanted Si

    Ryangsu Kim, T. Aoki, T. Hirose, Y. Furuta, S. Hayashi, T. Shano, K. Taniguchi

    国際会議  IEDM 2000  口頭(一般)

    2000年12月
     
     

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担当授業科目(学内) 【 表示 / 非表示

  • LSI工学   ( 講義 )

  • 情報通信工学   ( 講義 )

  • 計算機ハードウェア   ( 講義 )

  • 集積回路設計特論   ( 講義 )

  • 電気電子システム実験b   ( 実験実習 )

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