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職名 |
助教授・准教授 |
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研究分野・キーワード |
高周波集積回路、無線電力伝送、RFフロントエンドモジュール |
金城 良守 (カネシロ ヨシモリ)
Yoshimori Kaneshiro
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所属学会委員歴 【 表示 ／ 非表示 】
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2007年04月-2009年11月
IEEE A-SSCC Technical Program Committee RF Sub-Committee
論文 【 表示 ／ 非表示 】
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Directivity Improvement of Directional Coupler with Adaptive Complex Termination Impedance
Keisuke Ninomiya, Yuta Miyazaki, Kazuhito Osawa, Kenta Seki, Ryangsu Kim ( 共著 )
IEEE Asia-Pacific Microwave Conference (APMC) 2023 2023年12月
研究論文（国際会議プロシーディングス） 英語
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Dual-Band Single-Output WLAN Directional Coupler in a SOI CMOS Process
Ryangsu Kim, Kenta Seki, Kazuhito Osawa ( 共著 )
IEEE International Meeting for Future of Electron Devices (IMFEDK) 2022 2022年11月
研究論文（国際会議プロシーディングス） 英語
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A 10.8mA Single Chip Transceiver for 430MHz Narrowband Systems in 0.15um CMOS
G. Hayashi, A. Sawada, T. Morie, K. Matsuyama, Ryangsu Kim, S. Yoshida, A. Matsumoto, K. Hijikata, K. Matsukawa, Y. Tamura, Jun Ogawa, T. Takita ( 共著 )
IEEE ISSCC 2006 2006年02月
研究論文（国際会議プロシーディングス） 英語
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Photoluminescence study of {311} defect-precursors in self-implanted silicon
H. Tsuji, R. Kim, T. Hirose, T. Shano, Y. Kamakura, and K. Taniguchi ( 共著 )
Materials Science and Engineering: B 91/92 ( 30 ) 43 - 45 2002年04月
研究論文（学術雑誌） 英語
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Atomic configuration study of implanted F in Si based on experimental evidence and ab initio calculations
H. Tsuji, R. Kim, T. Hirose, T. Shano, Y. Kamakura, and K. Taniguchi ( 共著 )
Materials Science and Engineering: B 91/92 ( 30 ) 148 - 151 2002年04月
研究論文（学術雑誌） 英語
工業所有権 【 表示 ／ 非表示 】
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Directional coupler
特許
特許：US11837770
Kenta Seki, Ryangsu Kim, Katsuya Shimizu
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2023年12月05日
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Directional coupler
特許
特許：US11699983
Daisuke Tokuda, Ryangsu Kim, Yasushi Shigeno, Katsuya Shimizu
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2023年07月11日
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Directional coupler
特許
特許：US11509034
Kenta Seki, Yasushi Shigeno, Daisuke Tokuda, Ryangsu Kim, Katsuya Shimizu. Kazuhito OSAWA
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2022年11月22日
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Directional coupler
特許
特許：US11489243
Ryangsu Kim
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2022年11月01日
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Directional coupler
特許
特許：US11456517
Kenta Seki, Yasushi Shigeno, Daisuke TOKUDA, Ryangsu Kim, Katsuya Shimizu, Kazuhito OSAWA
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2022年09月27日
研究発表 【 表示 ／ 非表示 】
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Directivity Improvement of Directional Coupler with Adaptive Complex Termination Impedance
Keisuke Ninomiya , Yuta Miyazaki , Kazuhito Osawa , Kenta Seki , Ryangsu Kim
国際会議 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC) 2023 口頭（一般）
2023年12月 -
Dual-Band Single-Output WLAN Directional Coupler in a SOI CMOS Process
Ryangsu Kim, Kenta Seki, Kazuhito Osawa
国際会議 IMFEDK 2022 口頭（一般）
2022年11月 -
A 10.8mA Single Chip Transceiver for 430MHz Narrowband Systems in 0.15um CMOS
G. Hayashi, A. Sawada, T. Morie, K. Matsuyama, Ryangsu Kim, S. Yoshida, A. Matsumoto, K. Hijikata, K. Matsukawa, Y. Tamura, Jun Ogawa, T. Takita
国際会議 ISSCC 2006 口頭（一般）
2006年02月 -
Realization of ultra-shallow junction: suppressed boron diffusion and activation by optimized fluorine co-implantation
T. Shano, R. Kim, T. Hirose, Y. Furuta, H. Tsuji, M. Furuhashi, K. Taniguchi
国際会議 IEDM 2001 口頭（一般）
2001年12月 -
Modeling of arsenic transient enhanced diffusion and background boron segregation in low-energy As+ implanted Si
Ryangsu Kim, T. Aoki, T. Hirose, Y. Furuta, S. Hayashi, T. Shano, K. Taniguchi
国際会議 IEDM 2000 口頭（一般）
2000年12月
担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】
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LSI工学 ( 講義 )
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情報通信工学 ( 講義 )
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計算機ハードウェア ( 講義 )
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集積回路設計特論 ( 講義 )
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開発プロセス基礎演習 ( 演習 )