論文 - 和田　英男

Growth of (111)HgCdTe on (100)Si by MOVPE using Metalorganic Tellurium Adsorption and Annealing

K.Maruyama, H.Nishino, T.Okamoto, S.Saito, Y.Nishijima, M.Uchikoshi, M.Nagashima and H.Wada  ( 共著 )

J.Electronic Materials   25 ( 8 ) 1353 - 1357   1996年08月

研究論文（学術雑誌）  英語

Direct Growth of CdTe on (100),(211) and (111) Si by MOCVD

H.Ebe, H.Nishino, T.Okamoto, Y.Nishijima, M.Uchikoshi, M.Nagashima and H.Wada  ( 共著 )

J.Electronic Materials   25 ( 8 ) 1358 - 1361   1996年08月

研究論文（学術雑誌）  英語

Deep Trap Measurement in Hg１－ｘCdｘTe by Isothermal Capacitance and Deep-Level Transient Spectroscopy

K.Sato, K.Suno, H.Wada, Y.Okamoto, J.Morimoto and T.Miyakawa  ( 共著 )

Jpn.J.Appl.Phys.   35 ( 6 ) 3374 - 3375   1996年06月

研究論文（学術雑誌）  英語

Effect of thin HgTe layers on dislocations in HgCdTe layers

T.Okamoto, T.Sato, S.Murakami, H.Nishino, K.Maruyama, Y.Nishijima,H.Wada, M.Nagashima and Y.Nogami  ( 共著 )

Appl.Phys.Letter   69 ( 5 ) 677 - 678   1996年05月

研究論文（学術雑誌）  英語

DOI

放射率によるＳｉ中の酸素濃度測定

和田英男  ( 単著 )

電気学会論文誌A   116-A ( 5 ) 468 - 473   1996年05月

研究論文（学術雑誌）  日本語

DOI

HgCdTe and CdTe(113)B growth on Si(112)5゜off by molecular beam epitaxy

M.Kawano, A.Ajisawa, N.Oda, M.Nagashima and H.Wada  ( 共著 )

Appl.Phys.Letter   69 ( 19 ) 2876 - 2878   1996年

研究論文（学術雑誌）  英語

DOI

Direct MOVPE growth of HgCdTe on Si substrates for long-wavelength infrared photodiode

K.Maruyama, H.Nishino, T.Okamoto, S.Murakami,S.Saito, Y.Nishijima, H.Wada, M.Nagashima, Y.Nogami, K.Tanigawa and K.Shirahata  ( 共著 )

Infrared Technology XXVII in SPIE     14 - 22   1996年

研究論文（国際会議プロシーディングス）  英語

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赤外線ドーム材料の高温光学特性

和田英男、打越政弘、長嶋満宏  ( 共著 )

防衛庁技術研究本部技報   ( 6585 ) 1 - 25   1995年08月

研究論文（大学，研究機関紀要）  日本語

Si基板上へのHgCdTe受光素子の作製

打越政弘、和田英男、長嶋満宏、菅野俊雄  ( 共著 )

防衛庁技術研究本部技報   ( 6583 ) 1 - 8   1995年08月

研究論文（大学，研究機関紀要）  日本語

GeSi/Si受光素子の作製

打越政弘、和田英男、長嶋満宏、菅野俊雄  ( 共著 )

防衛庁技術研究本部技報   ( 6584 ) 1 - 12   1995年08月

研究論文（大学，研究機関紀要）  日本語

256×256 element HgCdTe hybrid IRFPA for the 8-10μｍ band

K.Kanno, H.Wada, M.Nagashima, H.Wakayama, K.Awamoto, N.Kajiwara, Y.Ito and M.Nakamura  ( 共著 )

Infrared Technology XXI in SPIE   ( 2552 ) 384 - 391   1995年

研究論文（学術雑誌）  英語

DOI

Photoacoustic Spectroscopy of SIMOX

T.Yamagami, K.Sato, Y.Okamoto, J.Morimoto, T.Miyakawa and H.Wada  ( 共著 )

Memoirs of The National Defense Academy Japan   34 ( 2 ) 75 - 79   1995年

研究論文（大学，研究機関紀要）  英語

Observation of defects in semiconductor-on-insulator(SOI) wafers by a nondestructive bulk micro-defect analyzer

H.Wada and K.Moriya  ( 共著 )

J.Crystal Growth   129   405 - 410   1993年

研究論文（学術雑誌）  英語

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Development of non-destructive bulk micro-defect analyzer for Si wafers

K.Moriya, H.Wada and K.Hirai  ( 共著 )

J.Crystal Growth   128   304 - 309   1992年

研究論文（学術雑誌）  英語

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Oriented Mosaic Model Characterizing Anisotoropic Thermoelectric Properties of Heterogeneous Materials

H.Wada, Y.Okamoto, T.Miyakawa and T.Irie  ( 共著 )

J.Materials Science   27   881 - 888   1992年

研究論文（学術雑誌）  英語

拡張2次元モザイクモデルによる不均一熱電半導体の異方性と性能指数

宮川　浹、和田英男、入江泰三  ( 共著 )

防衛大学校理工学研究報告   28 ( 2 ) 287 - 297   1991年03月

研究論文（大学，研究機関紀要）  日本語

Photopyroelectric(PPE) Determination of Thermal Diffusivisity of Sintered Semiconductors

H.Wada, M.Watanabe, J.Morimoto and T.Miyakawa  ( 共著 )

J.Materials Research   6   1711 - 1714   1991年

研究論文（学術雑誌）  英語

DOI

Oriented Mosaic Model Characterizing Hot-pressed Bi２Te３

H.Wada, Y.Okamoto, T.Miyakawa and T.Irie  ( 共著 )

Computer Applications to Materials Science and Engineering     919 - 922   1991年

研究論文（学術雑誌）  英語

Secondary ion mass spectrometry of n-type (Bi２Te３)ｘ(Bi２Se３)１－ｘ thermoelectric semiconductors

H.Wada, J.Morimoto, T.Miyakawa and T.Irie  ( 共著 )

Material Research Bulletin   26   179 - 185   1991年

研究論文（学術雑誌）  英語

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The anisotropic powder metallurgy of n-type Bi２Te２．８５Se０．１５ thermoelectric material

H.Wada, T.Sato, T.Takahashi and N.Nakatsukasa  ( 共著 )

J.Materials Research   ( 5 ) 1052 - 1057   1990年05月

研究論文（学術雑誌）  英語

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