論文 - 和田 英男
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Growth of (111)HgCdTe on (100)Si by MOVPE using Metalorganic Tellurium Adsorption and Annealing
K.Maruyama, H.Nishino, T.Okamoto, S.Saito, Y.Nishijima, M.Uchikoshi, M.Nagashima and H.Wada ( 共著 )
J.Electronic Materials 25 ( 8 ) 1353 - 1357 1996年08月
研究論文(学術雑誌) 英語
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Direct Growth of CdTe on (100),(211) and (111) Si by MOCVD
H.Ebe, H.Nishino, T.Okamoto, Y.Nishijima, M.Uchikoshi, M.Nagashima and H.Wada ( 共著 )
J.Electronic Materials 25 ( 8 ) 1358 - 1361 1996年08月
研究論文(学術雑誌) 英語
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Deep Trap Measurement in Hg1-xCdxTe by Isothermal Capacitance and Deep-Level Transient Spectroscopy
K.Sato, K.Suno, H.Wada, Y.Okamoto, J.Morimoto and T.Miyakawa ( 共著 )
Jpn.J.Appl.Phys. 35 ( 6 ) 3374 - 3375 1996年06月
研究論文(学術雑誌) 英語
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Effect of thin HgTe layers on dislocations in HgCdTe layers
T.Okamoto, T.Sato, S.Murakami, H.Nishino, K.Maruyama, Y.Nishijima,H.Wada, M.Nagashima and Y.Nogami ( 共著 )
Appl.Phys.Letter 69 ( 5 ) 677 - 678 1996年05月
研究論文(学術雑誌) 英語
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HgCdTe and CdTe(113)B growth on Si(112)5゜off by molecular beam epitaxy
M.Kawano, A.Ajisawa, N.Oda, M.Nagashima and H.Wada ( 共著 )
Appl.Phys.Letter 69 ( 19 ) 2876 - 2878 1996年
研究論文(学術雑誌) 英語
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Direct MOVPE growth of HgCdTe on Si substrates for long-wavelength infrared photodiode
K.Maruyama, H.Nishino, T.Okamoto, S.Murakami,S.Saito, Y.Nishijima, H.Wada, M.Nagashima, Y.Nogami, K.Tanigawa and K.Shirahata ( 共著 )
Infrared Technology XXVII in SPIE 14 - 22 1996年
研究論文(国際会議プロシーディングス) 英語
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打越政弘、和田英男、長嶋満宏、菅野俊雄 ( 共著 )
防衛庁技術研究本部技報 ( 6583 ) 1 - 8 1995年08月
研究論文(大学,研究機関紀要) 日本語
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256×256 element HgCdTe hybrid IRFPA for the 8-10μm band
K.Kanno, H.Wada, M.Nagashima, H.Wakayama, K.Awamoto, N.Kajiwara, Y.Ito and M.Nakamura ( 共著 )
Infrared Technology XXI in SPIE ( 2552 ) 384 - 391 1995年
研究論文(学術雑誌) 英語
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Photoacoustic Spectroscopy of SIMOX
T.Yamagami, K.Sato, Y.Okamoto, J.Morimoto, T.Miyakawa and H.Wada ( 共著 )
Memoirs of The National Defense Academy Japan 34 ( 2 ) 75 - 79 1995年
研究論文(大学,研究機関紀要) 英語
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Observation of defects in semiconductor-on-insulator(SOI) wafers by a nondestructive bulk micro-defect analyzer
H.Wada and K.Moriya ( 共著 )
J.Crystal Growth 129 405 - 410 1993年
研究論文(学術雑誌) 英語
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Development of non-destructive bulk micro-defect analyzer for Si wafers
K.Moriya, H.Wada and K.Hirai ( 共著 )
J.Crystal Growth 128 304 - 309 1992年
研究論文(学術雑誌) 英語
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H.Wada, Y.Okamoto, T.Miyakawa and T.Irie ( 共著 )
J.Materials Science 27 881 - 888 1992年
研究論文(学術雑誌) 英語
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拡張2次元モザイクモデルによる不均一熱電半導体の異方性と性能指数
宮川 浹、和田英男、入江泰三 ( 共著 )
防衛大学校理工学研究報告 28 ( 2 ) 287 - 297 1991年03月
研究論文(大学,研究機関紀要) 日本語
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Photopyroelectric(PPE) Determination of Thermal Diffusivisity of Sintered Semiconductors
H.Wada, M.Watanabe, J.Morimoto and T.Miyakawa ( 共著 )
J.Materials Research 6 1711 - 1714 1991年
研究論文(学術雑誌) 英語
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Oriented Mosaic Model Characterizing Hot-pressed Bi2Te3
H.Wada, Y.Okamoto, T.Miyakawa and T.Irie ( 共著 )
Computer Applications to Materials Science and Engineering 919 - 922 1991年
研究論文(学術雑誌) 英語
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Secondary ion mass spectrometry of n-type (Bi2Te3)x(Bi2Se3)1-x thermoelectric semiconductors
H.Wada, J.Morimoto, T.Miyakawa and T.Irie ( 共著 )
Material Research Bulletin 26 179 - 185 1991年
研究論文(学術雑誌) 英語
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The anisotropic powder metallurgy of n-type Bi2Te2.85Se0.15 thermoelectric material
H.Wada, T.Sato, T.Takahashi and N.Nakatsukasa ( 共著 )
J.Materials Research ( 5 ) 1052 - 1057 1990年05月
研究論文(学術雑誌) 英語