論文 - 和田　英男

512x512 elements GeSi/Si heterojunction infrared image sensor

H.Wada, M.Nagashima, K.Hayashi, J.Nakanishi, M.Kimata, N.Kumada and S.Ito  ( 共著 )

Infrared Technology XXⅤ in SPIE     584 - 595   1999年09月

研究論文（国際会議プロシーディングス）  英語

DOI

512x512 Element GeSi/Si Heterojunction Infrared FPA

H.Wada, M.Nagashima, K.Hayashi, J.Nakanishi, M.Kimata, N.Kumada and S.Ito  ( 共著 )

Opto-Electronics Review   7 ( 4 ) 305 - 311   1999年07月

研究論文（学術雑誌）  英語

Studies of relationship between deep levels and R０A in mesa type HgCdTe devices

J.Yoshino,J.Morimoto,H.Wada,A.Ajisawa,M.Kawano and N.Oda  ( 共著 )

Opto-Electronics Review   7 ( 4 ) 361 - 367   1999年07月

研究論文（学術雑誌）  英語

５１２×５１２画素ＧｅＳｉ／Ｓｉヘテロ接合赤外線検知器

和田英男、長嶋満宏、林健一、中西淳治、木股雅章、熊田祐昌、瀬戸俊樹、伊東尚  ( 共著 )

映像情報メディア学会誌   53 ( 6 ) 895 - 900   1999年06月

研究論文（学術雑誌）  日本語

DOI

Studies of the Oxygen Deficiency Effect in La1-xCaxMnOz Using X-ray Photoelectron Spectroscopy

K.Hayashi and H.Wada  ( 共著 )

Jpn.J.Appl.Phys.   38 ( 5A ) 540 - 542   1999年05月

研究論文（学術雑誌）  英語

DOI

Deep Levels in Hg0.766Cd0.234Te Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition

Junya Yoshino, Jun Morimoto and Hideo Wada  ( 共著 )

Jpn.J.Appl.Phys.   38 ( 5A ) 2835   1999年05月

研究論文（学術雑誌）  英語

DOI

Characterization of deep levels in mesa type HgCdTe IR detector

J.Yoshino,J.Morimoto,H.Wada,A.Ajisawa,M.Kawano and N.Oda  ( 共著 )

Infrared Technology XXⅣ in SPIE     120 - 128   1998年10月

研究論文（国際会議プロシーディングス）  英語

DOI

Design and performance of 256×256 bolometer type uncooled infrared detector

Hideo Wada, Mitsuhiro Nagashima, Naoki Oda, Tokuhito Sasaki, Akihiro Kawahara  ( 共著 )

Infrared Technology XXIII in SPIE     90 - 99   1998年09月

研究論文（国際会議プロシーディングス）  英語

DOI

The electronic behaviors of the oxygen deficient VO２　thin films in low temperature region

M.Nagashima and H.Wada  ( 共著 )

Jpn.J.Appl.Phys.   37 ( 8A ) 4443 - 4438   1998年08月

研究論文（学術雑誌）  英語

DOI

Studies of deep level in mesa-type HgCdTe device

J.Yoshino,J.Morimoto and H.Wada  ( 共著 )

Jpn.J.Appl.Phys.   37 ( 7A ) 4027 - 4031   1998年07月

研究論文（学術雑誌）  英語

DOI

La0.7Ca0.3MnO3薄膜のＸ線光電子分光スペクトル

林　健一、和田英男  ( 共著 )

防衛庁技術研究本部技報   ( 6660 ) 1 - 7   1998年06月

研究論文（大学，研究機関紀要）  日本語

ボロメータ型非冷却赤外線センサ

和田 英男, 長嶋 満宏, 林 健一, 小田 直樹, 島 毅, 土川 稔  ( 共著 )

映像情報メディア学会誌   80 ( 21 ) 13 - 18   1997年12月

研究論文（学術雑誌）  日本語

DOI

２５６×２５６画素ボロメータ型非冷却赤外線センサ

和田英男、長嶋満宏、島毅、土川稔、小田直樹  ( 共著 )

電気学会論文誌E   116-Ｅ ( 12 ) 612 - 616   1997年12月

研究論文（学術雑誌）  日本語

DOI

The oxygen deficiency effect of VO２ thin films prepared by laser ablation

M.Nagashima, H.Wada  ( 共著 )

J.Materials Research   12 ( 2 ) 416 - 422   1997年12月

研究論文（学術雑誌）  英語

DOI

Si基板上HgCdTe薄膜結晶における不純物ドーピング

和田英男、長嶋満宏  ( 共著 )

防衛庁技術研究本部技報   ( 6627 ) 1 - 18   1997年01月

研究論文（大学，研究機関紀要）  日本語

Real-time observation of VO２ thin films in phase transition by laser scanning microscopy

M.Nagashima and H.Wada  ( 共著 )

J.Vacuum Science & Technology A   ( 16 ) 44 - 49   1997年

研究論文（学術雑誌）  英語

DOI

Fabrication process of 256×256 bolometer type uncooled infrared detector

Hideo Wada, Mitsuhiro Nagashima, Masayuki Kanzaki, Tokuhito Sasaki, Yoshio Tsuruta, Akihiro Kawahara, Masaru Miyoshi, Shouhei Matsumoto, Shigeyuki Itho and Naoki Oda  ( 共著 )

Micromachining and microfabrication at Austin'97     40 - 51   1997年

研究論文（国際会議プロシーディングス）  英語

DOI

AFM Observation for the oxygen deficiency effect on the surface morphology of VO２ thin films

M.Nagashima, H.Wada  ( 共著 )

J.Crystal Growth   ( 177 ) 539 - 545   1997年

研究論文（学術雑誌）  英語

DOI

Near infrared optical properties of laser ablated VO２ thin film by ellipsometry

M.Nagashima, H.Wada  ( 共著 )

Thin Solid Films   ( 308 ) 61 - 65   1997年

研究論文（学術雑誌）  英語

DOI

Orientation dependence of HgCdTe epitaxial layers grown by MOCVD on Si substrates

K.Shigenaka, K.Matsushita, L.Sugiura, F.Nakata, K.Hirahara, M.Uchikoshi, M.Nagashima and H.Wada  ( 共著 )

J.Electronic Materials   25 ( 8 ) 1347 - 1352   1996年08月

研究論文（学術雑誌）  英語