論文 - 和田 英男
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512x512 elements GeSi/Si heterojunction infrared image sensor
H.Wada, M.Nagashima, K.Hayashi, J.Nakanishi, M.Kimata, N.Kumada and S.Ito ( 共著 )
Infrared Technology XXⅤ in SPIE 584 - 595 1999年09月
研究論文(国際会議プロシーディングス) 英語
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512x512 Element GeSi/Si Heterojunction Infrared FPA
H.Wada, M.Nagashima, K.Hayashi, J.Nakanishi, M.Kimata, N.Kumada and S.Ito ( 共著 )
Opto-Electronics Review 7 ( 4 ) 305 - 311 1999年07月
研究論文(学術雑誌) 英語
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Studies of relationship between deep levels and R0A in mesa type HgCdTe devices
J.Yoshino,J.Morimoto,H.Wada,A.Ajisawa,M.Kawano and N.Oda ( 共著 )
Opto-Electronics Review 7 ( 4 ) 361 - 367 1999年07月
研究論文(学術雑誌) 英語
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512×512画素GeSi/Siヘテロ接合赤外線検知器
和田英男、長嶋満宏、林健一、中西淳治、木股雅章、熊田祐昌、瀬戸俊樹、伊東尚 ( 共著 )
映像情報メディア学会誌 53 ( 6 ) 895 - 900 1999年06月
研究論文(学術雑誌) 日本語
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Studies of the Oxygen Deficiency Effect in La1-xCaxMnOz Using X-ray Photoelectron Spectroscopy
K.Hayashi and H.Wada ( 共著 )
Jpn.J.Appl.Phys. 38 ( 5A ) 540 - 542 1999年05月
研究論文(学術雑誌) 英語
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Deep Levels in Hg0.766Cd0.234Te Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
Junya Yoshino, Jun Morimoto and Hideo Wada ( 共著 )
Jpn.J.Appl.Phys. 38 ( 5A ) 2835 1999年05月
研究論文(学術雑誌) 英語
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Characterization of deep levels in mesa type HgCdTe IR detector
J.Yoshino,J.Morimoto,H.Wada,A.Ajisawa,M.Kawano and N.Oda ( 共著 )
Infrared Technology XXⅣ in SPIE 120 - 128 1998年10月
研究論文(国際会議プロシーディングス) 英語
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Design and performance of 256×256 bolometer type uncooled infrared detector
Hideo Wada, Mitsuhiro Nagashima, Naoki Oda, Tokuhito Sasaki, Akihiro Kawahara ( 共著 )
Infrared Technology XXIII in SPIE 90 - 99 1998年09月
研究論文(国際会議プロシーディングス) 英語
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The electronic behaviors of the oxygen deficient VO2 thin films in low temperature region
M.Nagashima and H.Wada ( 共著 )
Jpn.J.Appl.Phys. 37 ( 8A ) 4443 - 4438 1998年08月
研究論文(学術雑誌) 英語
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Studies of deep level in mesa-type HgCdTe device
J.Yoshino,J.Morimoto and H.Wada ( 共著 )
Jpn.J.Appl.Phys. 37 ( 7A ) 4027 - 4031 1998年07月
研究論文(学術雑誌) 英語
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林 健一、和田英男 ( 共著 )
防衛庁技術研究本部技報 ( 6660 ) 1 - 7 1998年06月
研究論文(大学,研究機関紀要) 日本語
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ボロメータ型非冷却赤外線センサ
和田 英男, 長嶋 満宏, 林 健一, 小田 直樹, 島 毅, 土川 稔 ( 共著 )
映像情報メディア学会誌 80 ( 21 ) 13 - 18 1997年12月
研究論文(学術雑誌) 日本語
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256×256画素ボロメータ型非冷却赤外線センサ
和田英男、長嶋満宏、島毅、土川稔、小田直樹 ( 共著 )
電気学会論文誌E 116-E ( 12 ) 612 - 616 1997年12月
研究論文(学術雑誌) 日本語
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The oxygen deficiency effect of VO2 thin films prepared by laser ablation
M.Nagashima, H.Wada ( 共著 )
J.Materials Research 12 ( 2 ) 416 - 422 1997年12月
研究論文(学術雑誌) 英語
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和田英男、長嶋満宏 ( 共著 )
防衛庁技術研究本部技報 ( 6627 ) 1 - 18 1997年01月
研究論文(大学,研究機関紀要) 日本語
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Real-time observation of VO2 thin films in phase transition by laser scanning microscopy
M.Nagashima and H.Wada ( 共著 )
J.Vacuum Science & Technology A ( 16 ) 44 - 49 1997年
研究論文(学術雑誌) 英語
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Fabrication process of 256×256 bolometer type uncooled infrared detector
Hideo Wada, Mitsuhiro Nagashima, Masayuki Kanzaki, Tokuhito Sasaki, Yoshio Tsuruta, Akihiro Kawahara, Masaru Miyoshi, Shouhei Matsumoto, Shigeyuki Itho and Naoki Oda ( 共著 )
Micromachining and microfabrication at Austin'97 40 - 51 1997年
研究論文(国際会議プロシーディングス) 英語
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AFM Observation for the oxygen deficiency effect on the surface morphology of VO2 thin films
M.Nagashima, H.Wada ( 共著 )
J.Crystal Growth ( 177 ) 539 - 545 1997年
研究論文(学術雑誌) 英語
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Near infrared optical properties of laser ablated VO2 thin film by ellipsometry
M.Nagashima, H.Wada ( 共著 )
Thin Solid Films ( 308 ) 61 - 65 1997年
研究論文(学術雑誌) 英語
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Orientation dependence of HgCdTe epitaxial layers grown by MOCVD on Si substrates
K.Shigenaka, K.Matsushita, L.Sugiura, F.Nakata, K.Hirahara, M.Uchikoshi, M.Nagashima and H.Wada ( 共著 )
J.Electronic Materials 25 ( 8 ) 1347 - 1352 1996年08月
研究論文(学術雑誌) 英語