工業所有権 - 和田　英男

半導体における欠陥の検出装

特許

特願：平10-293102  特開：平05-264468  特許：2916321

守矢一男、和田英男

出願国：日本国  出願日：1992年03月19日  出願人名称：三井金属鉱業株式会社

公開日：1998年11月04日  登録日(発行日)：1999年04月16日

内部欠陥測定方法および装置

特許

特願：平02-129182  特開：平04-024541 

守矢一男、和田英男、平井克幸

出願国：日本国  出願日：1990年05月21日 

公開日：1992年01月28日 

ビスマス系焼結合金への無電解めっき方法

特許

特願：平01-269846  特開：平03-134177 

和田英男、高橋和明、西坂強、佐藤哲二

出願国：日本国  出願日：1989年10月17日 

公開日：1991年06月07日