工業所有権 - 和田　英男

二酸化バナジウム薄膜の製造方法及び二酸化バナジウム薄膜形成用原料溶液

特許

特願：2022-165164  特開：2024-058048 

和田英男，小池一歩，扶川泰斗，河原正美

出願国：日本国  出願日：2022年10月14日  出願人名称：学校法人 常翔学園　　株式会社 高純度化学研究所

公開日：2024年04月25日 

調光ガラス及びその製造方法、並びに、前記調光ガラスを構成する多孔質モスアイ構造の二酸化バナジウム薄膜

特許

特願：2021-122757  特開：2023-18549 

和田英男，小池一歩，前元利彦

出願国：日本国  出願日：2021年07月27日  出願人名称：学校法人 常翔学園

公開日：2023年02月08日 

熱電変換装置

特許

特願：2011-269186  特開：2013-120899  特許：5540338

和田英男

出願国：日本国  出願日：2011年12月08日  出願人名称：防衛省技術研究本部長

公開日：2013年06月17日  登録日(発行日)：2014年05月16日

画像処理装置および撮像機

特許

特願：2004-237028  特開：2006-60276  特許：3937022

和田英男，長嶋満宏，林健一

出願国：日本国  出願日：2004年08月17日  出願人名称：防衛省技術研究本部長

公開日：2006年03月02日  登録日(発行日)：2007年04月06日

Thermal infrared detector having a small thermal time constant and method of producing the same

特許

特願：697155  特許：7180063

H.Wada,N.Oda

出願国：アメリカ合衆国  出願日：2003年10月31日  出願人名称：防衛庁技術研究本部長

登録日(発行日)：2007年02月20日

熱時定数の小さい熱型赤外線検出器及びその製造方法

特許

特願：2002-319384  特開：2004-151054  特許：3862080

和田英男、小田直樹

出願国：日本国  出願日：2002年11月01日  出願人名称：防衛庁技術研究本部長

公開日：2004年05月27日  登録日(発行日)：2006年10月06日

熱型センサおよびその製造方法

特許

特願：2001-171225  特開：2002-365128  特許：3476443

和田英男、曽根孝典、兼田修、木股雅章

出願国：日本国  出願日：2001年06月06日  出願人名称：防衛庁技術研究本部長

公開日：2002年12月18日  登録日(発行日)：2003年09月26日

熱収差補正方法、熱収差及び色収差同時補正方法並びに赤外線光学系

特許

特願：平11-373960  特開：2001-188166 

工藤順一、和田英男

出願国：日本国  出願日：1999年12月28日  出願人名称：防衛庁技術研究本部長

公開日：2001年07月10日 

赤外光学部品

特許

特願：平11-199423  特開：2001-027701  特許：3339001

和田英男、柴田憲一郎、山下正史

出願国：日本国  出願日：1999年07月13日  出願人名称：防衛庁技術研究本部長

公開日：2001年01月30日  登録日(発行日)：2002年08月16日

赤外線検出材料及び赤外線検出器

特許

特願：平10-307324  特開：2000-133848  特許：3030344

和田英男、樋熊弘子、若田光延

出願国：日本国  出願日：1998年10月28日  出願人名称：防衛庁技術研究本部長

公開日：2000年05月12日  登録日(発行日)：2000年02月10日

Method for manufacturing thermal-type infrared sensor

特許

特願：960216  特許：5966590

H.Wada,M.Nagashima,TSasaki,N.Oda,

出願国：アメリカ合衆国  出願日：1997年10月29日  出願人名称：防衛庁技術研究本部長

登録日(発行日)：1999年10月12日

酸化バナジュウム薄膜及びその製造方法

特許

特願：平09-083326  特開：平10-259024  特許：3002720

長嶋満宏、和田英男

出願国：日本国  出願日：1997年03月17日  出願人名称：防衛庁技術研究本部長

公開日：1998年09月29日  登録日(発行日)：1999年11月19日

VOx Film, wherein x is greater than 1.875 and less than 2.0, and a bolometer-type infrared sensor comprising the VOx Film

特許

特願：754140  特許：5801383

H.Wada,M.Nagashima,N.Oda,TSasaki,T.Mori

出願国：アメリカ合衆国  出願日：1996年11月22日  出願人名称：防衛庁技術研究本部長

登録日(発行日)：1998年09月01日

ダイヤフラム型赤外線センサの赤外線吸収膜製造方法

特許

特願：平08-286681  特開：平10-130831  特許：29001556

和田英男、長嶋満宏、佐々木得人

出願国：日本国  出願日：1996年10月29日  出願人名称：防衛庁技術研究本部長

公開日：1998年05月19日  登録日(発行日)：1999年03月19日

熱型赤外線センサの製造方法

特許

特願：平08-286681  特開：平10-132653  特許：3236860

和田英男、長嶋満宏、佐々木得人、小田直樹

出願国：日本国  出願日：1996年10月29日  出願人名称：防衛庁技術研究本部長

公開日：1998年05月22日  登録日(発行日)：2001年10月05日

熱型赤外線検出器及びその製造方法

特許

特願：平08-280678  特開：平10-122950 

和田英男、長嶋満宏、神崎昌之、松本尚平

出願国：日本国  出願日：1996年10月23日  出願人名称：防衛庁技術研究本部長

公開日：1998年05月15日 

酸化バナジュウム薄膜及びそれを用いたボロメータ型赤外線センサ

特許

特願：平08-071983  特開：平09-257565  特許：2786151

和田英男、小田直樹、佐々木得人

出願国：日本国  出願日：1996年03月27日  出願人名称：防衛庁技術研究本部長

公開日：1997年10月03日  登録日(発行日)：1998年05月29日

酸化バナジュウム膜の電気特性制御方法

特許

特願：平07-304226  特開：平09-145481  特許：2772270

和田英男、小田直樹、佐々木得人

出願国：日本国  出願日：1995年11月22日  出願人名称：防衛庁技術研究本部長

公開日：1997年06月06日  登録日(発行日)：1998年04月17日

多層半導体等における欠陥の検出方法

特許

特願：平10-145132  特開：平10-293102  特許：3267551

守矢一男

出願国：日本国  出願日：1992年03月19日  出願人名称：三井金属鉱業株式会社

公開日：1998年11月04日  登録日(発行日)：2002年01月11日

多層半導体基板等における内部欠陥の検出方法

特許

特願：平04-092362  特開：平05-264468  特許：2916321

守矢一男、和田英男

出願国：日本国  出願日：1992年03月19日  出願人名称：三井金属鉱業株式会社

公開日：1993年10月12日  登録日(発行日)：1999年04月16日

半導体における欠陥の検出装

特許

特願：平10-293102  特開：平05-264468  特許：2916321

守矢一男、和田英男

出願国：日本国  出願日：1992年03月19日  出願人名称：三井金属鉱業株式会社

公開日：1998年11月04日  登録日(発行日)：1999年04月16日

内部欠陥測定方法および装置

特許

特願：平02-129182  特開：平04-024541 

守矢一男、和田英男、平井克幸

出願国：日本国  出願日：1990年05月21日 

公開日：1992年01月28日 

ビスマス系焼結合金への無電解めっき方法

特許

特願：平01-269846  特開：平03-134177 

和田英男、高橋和明、西坂強、佐藤哲二

出願国：日本国  出願日：1989年10月17日 

公開日：1991年06月07日