研究発表 - 小山 政俊
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Study for Enhancement of Terahertz Radiation Using GaSb/InAs Heterostructures
Masatoshi Koyama, Yohei Kinoshita, Masashi Tatsumi, Toshihiko Maemoto, Shigehiko Sasa, Shota Hamauchi, Iwao Kawayama and Masayoshi Tonouchi
国際会議 The 20th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 20) ( Baffalo, NY, U.S.A. ) ポスター（一般）
2017年07月 -
Effects of He plasma treatment on zinc oxide thin film transistors
Shotaro Shinya, Toyokazu Kaneko, Masatoshi Koyama, Toshihiko Maemoto and Shigehiko Sasa
国内会議 The 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai ( Kyoto ) ポスター（一般）
2017年06月-継続中 -
ゾルゲル成膜したZnO薄膜の乾燥温度依存性とTFTへの応用
川上 祐貴 尾形 健一 小山 政俊 前元 利彦 佐々 誠彦
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 平成27年度第2回研究会 ( 京都大学 桂キャンパス ) 口頭（一般）
2016年11月 -
InAs 薄膜からのTHz 放射高強度化の検討
澤田創，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦，斗内政吉
テラヘルツ科学の最先端II ( 仙台 作並温泉 ) ポスター（一般）
2016年11月 -
酸化亜鉛を用いた透明セルフスイッチングナノダイオードの作製と評価
孫 屹、芦田 浩平、松田 宗平、小山 政俊、前元 利彦、佐々 誠彦、葛西 誠也
応用物理学会 ( 東京工業大学 ) ポスター（一般）
2016年03月 -
ゾルゲル法を用いたZnO系TFTの作製と評価
大東 隆文、大溝 悠樹、小山 政俊、前元 利彦、佐々 誠彦
応用物理学会 ( 東京工業大学 ) ポスター（一般）
2016年03月 -
溶液法により作製したAl添加ZnO薄膜トランジスタの焼結雰囲気によるトランジスタ特性への影響
佐々木 祥太、木村 史哉、孫 屹、小山 政俊、前元 利彦、佐々誠彦
応用物理学会 ( 東京工業大学 ) ポスター（一般）
2016年03月 -
酸化物半導体を用いた薄膜デバイス応用の新展開
前元利彦，孫 屹，松田宗平，佐々木翔太，芦田浩平，カルトシュタイン オリバー， 小山政俊，小池一歩，矢野満明，佐々誠彦
電子情報通信学会 研究会 機能ナノデバイスおよび関連技術 ( 北海道大学 ) 口頭（一般）
2016年03月 -
Fabrication and characterization of fully transparent ZnO thin‐film transistors and self‐ switching nano‐diodes
Y. Sun, K. Ashida, S. Sasaki, M. Koyama, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, I. ??iguez‐de‐la‐Torre, and T. Gonz?lez
国際会議 EDISON 19 ( University of Salamance, Spain ) ポスター（一般）
2015年07月 -
Electron transport properties in InAs four-terminal ballistic junctions under weak magnetic fields
M. Koyama, K. Fujiwara, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa and M. Inoue
国際会議 ポスター（一般）
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InAs/AlGaSb HEMTs with Al2O3 and HfO2 Gate Insulators
K. Fujiwara, N, Amano, M. Koyama, T. Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue
国際会議 ポスター（一般）
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Rectification effects in InAs/AlGaSb three-terminal ballistic junctions
M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa and M. Inoue
国際会議 ポスター（一般）
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Nonlinear Electron Transport Properties in InAs/AlGaSb Three-Terminal Ballistic Junctions
M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue
国際会議 ポスター（一般）
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Nonlinear electron transport properties and rectification effects in InAs/AlGaSb nanostructures
M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa and M. Inoue
国際会議 ポスター（一般）
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Ballistic rectification in four-terminal InAs/AlGaSb nanostructures
M. Koyama, H. Takahashi, T. Inoue, T. Maemoto, S. Sasa and M. Inoue
国際会議 ポスター（一般）
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Field characteristics of electron mobility and velocity in InAs/AlGaSb HFETs with high-k gate insulators
T. Maemoto, M. Koyama, H. Takahashi, S. Sasa and M. Inoue
国際会議 ポスター（一般）
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Ballistic rectification effects in InAs/AlGaSb nanostructures
M. Koyama, H. Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa and M. Inoue
国際会議 ポスター（一般）
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Nonlinear electron transport properties in InAs/AlGaSb ballistic rectifiers
M. Koyama, H. Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa and M. Inoue
国際会議 ポスター（一般）
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Electron transport properties in InAs ballistic devices
M. Koyama, M. Inoue, M. Furukawa, H. Takahashi, T. Maemoto and S. Sasa
国際会議 ポスター（一般）
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Electron transport in InAs/AlGaSb ballistic rectifiers
T. Maemoto, M. Koyama, M. Furukawa, H. Takahashi, S. Sasa and M. Inoue
国際会議 ポスター（一般）