研究経歴 - 原田　義之

ワイドキャップ半導体の光学的性質に関する研究

研究期間：

ZｎO，GaN，アルカリハライド，フォルトミネッセンス，励起子

半導体ナノ粒子の光物性

研究期間：

ZnO，ナノ粒子，金属ナノ粒子，励起子，発光，ラマン散乱，局在表面プラズモン，表面増強ラマン散乱

ワイドギャップ半導体の光学的性質に関する研究

研究期間：

GaN、ZnO、アルカリハライド、フォトルミネッセンス、励起子

ワイドギャップ半導体の光学的性質に関する研究

研究期間：

ＧａＮ、ＺｎＳｅ、フォトルミネッセンス、アルカリハライド

ワイドギャップ半導体及びイオン結晶の光学的性質に関する研究

研究期間：

Ⅱ-Ⅵ族ワイドキャップ半導体、ＺｎＳｅ、Ｇｅｌ4、フォトルミネッセンス、光物性

Ⅱ‐Ⅵ族ワイドギャップ半導体の光学的性質に関する研究

研究期間：

ZnSe,　遠赤外、不純物吸収、格子欠陥、格子緩和