研究経歴 - 原田 義之
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ワイドキャップ半導体の光学的性質に関する研究
研究期間:
ZnO,GaN,アルカリハライド,フォルトミネッセンス,励起子
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半導体ナノ粒子の光物性
研究期間:
ZnO,ナノ粒子,金属ナノ粒子,励起子,発光,ラマン散乱,局在表面プラズモン,表面増強ラマン散乱
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ワイドギャップ半導体の光学的性質に関する研究
研究期間:
GaN、ZnO、アルカリハライド、フォトルミネッセンス、励起子
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ワイドギャップ半導体の光学的性質に関する研究
研究期間:
GaN、ZnSe、フォトルミネッセンス、アルカリハライド
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ワイドギャップ半導体及びイオン結晶の光学的性質に関する研究
研究期間:
Ⅱ-Ⅵ族ワイドキャップ半導体、ZnSe、Gel4、フォトルミネッセンス、光物性
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Ⅱ‐Ⅵ族ワイドギャップ半導体の光学的性質に関する研究
研究期間:
ZnSe, 遠赤外、不純物吸収、格子欠陥、格子緩和