研究経歴 - 原田　義之

半導体ナノ粒子の光物性

研究期間：

ZnO，ナノ粒子，金属ナノ構造，励起子，発光，表面プラズモン，高密度励起

半導体ナノ粒子の光物性

研究期間：

酸化亜鉛（ZnO），ナノ粒子，金属ナノ構造，励起子，発光，表面プラズモン，表面増強ラマン散乱

ワイドギャップ半導体及びイオン結晶の光学的性質に関する研究

研究期間：

Ⅱ-Ⅵ族ワイドキャップ半導体、ＺｎＳｅ、Ｇｅｌ4、フォトルミネッセンス、光物性

ワイドギャップ半導体の光学的性質に関する研究

研究期間：

ＧａＮ、ＺｎＳｅ、フォトルミネッセンス、アルカリハライド

ワイドギャップ半導体の光学的性質に関する研究

研究期間：

GaN、ZnO、アルカリハライド、フォトルミネッセンス、励起子

Ⅱ‐Ⅵ族ワイドギャップ半導体の光学的性質に関する研究

研究期間：

ZnSe,　遠赤外、不純物吸収、格子欠陥、格子緩和