研究経歴 - 原田 義之
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ラマン分光用レーザーの開発
基礎科学研究
研究期間：2023年04月 - 2024年03月
ラマン散乱
個人研究
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半導体ナノ粒子の光学特性
基礎科学研究
研究期間：2022年04月 - 2023年03月
半導体ナノ粒子，フォトルミネッセンス，液相合成，ZnO，光物性
個人研究
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半導体微粒子の作製と光学的性質の研究
基礎科学研究
研究期間：2019年04月 - 2020年03月
半導体微粒子、液相合成法、フォトルミネッセンス
個人研究
半導体微粒子を液相合成法を利用して作製した。特にミクロンサイズで大きさの異なる六角柱状、球形、および六角板状結晶を作製することに成功した。その試料についてのフォトルミネッセンスを調べた結果、可視光領域に強い発光スペクトルを観測した。目下、紫外領域で強く発光する試料の作製方法の開発に取り組んでいる。
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半導体ナノ粒子の合成と光物性
基礎科学研究
研究期間：2018年04月 - 2019年03月
ZnO, ナノ粒子，液相合成法，光物性
個人研究
学会・OIT-P等で報告した。
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半導体ナノ粒子の合成と光物性
研究期間：2017年04月 - 継続中
半導体ナノ粒子，液相法，顕微分光
個人研究
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半導体ナノーマイクロ粒子の光物性
研究期間：2015年 - 2016年
ZnO，ZnS，ナノ粒子，液相合成法，励起子，吸収，フォトルミネッセンス，ラマン散乱
個人研究
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半導体ナノーマイクロ粒子の光物性
研究期間：2015年
ZnO，ZnS，ナノ粒子，液相合成法，励起子，吸収，フォトルミネッセンス，ラマン散乱
個人研究
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半導体ナノーマイクロ粒子の光物性
研究期間：2013年 - 2014年
ナノ粒子，半導体，ラマン，ＰＬ，液相合成法
個人研究
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半導体ナノーマイクロ粒子の光物性
研究期間：2013年
ナノ，マイクロ，微粒子，半導体，顕微分光，ラマン，フォトルミネッセンス
個人研究
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半導体ナノ粒子の光物性
研究期間：
ZnO，ナノ粒子，金属ナノ粒子，励起子，発光，ラマン散乱，局在表面プラズモン，表面増強ラマン散乱
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ワイドキャップ半導体の光学的性質に関する研究
研究期間：
ZｎO，GaN，アルカリハライド，フォルトミネッセンス，励起子
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ワイドギャップ半導体の光学的性質に関する研究
研究期間：
ZnO、GaN,、フォトルミネッセンス、励起子、励起子分子
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ワイドギャップ半導体の光学的性質に関する研究
研究期間：
ZnO、GaN、励起子、励起子分子、レーザー
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ワイドギャップ半導体の光学的性質に関する研究
研究期間：
ZnO、GaN、微粒子，薄膜，励起子，発光，レーザー
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ワイドギャップ半導体の光学的性質に関する研究
研究期間：
ZnO、InGaN、微粒子，薄膜，励起子・励起子分子発光，光共振器，レーザー
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ワイドギャップ半導体の光物性
研究期間：
ZnO，GaN，InGaN，微粒子，薄膜，励起子，励起子分子，発光，光共振器，レーザー
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ワイドギャップ半導体の光物性
研究期間：
ZnO，ナノ粒子，GaN，InN，薄膜，不純物，励起子，励起子分子，発光，光共振器，レーザー
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ワイドギャップ半導体ナノ粒子の光物性
研究期間：
ZnO，ナノ粒子，励起子，励起子分子，発光，光共振器，レーザー，金属，発光増強
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半導体ナノ粒子の光物性
研究期間：
ZnO，ナノ粒子，励起子，励起子分子，発光，レーザー，金属，表面プラズモン
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半導体ナノ粒子の光物性
研究期間：
ZnO，ナノ粒子，高密度励起，励起子，発光，金属，表面プラズモン
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半導体ナノ粒子の光物性
研究期間：
ZnO，ナノ粒子，金属ナノ構造，励起子，発光，表面プラズモン，高密度励起
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半導体ナノ粒子の光物性
研究期間：
酸化亜鉛（ZnO），ナノ粒子，金属ナノ構造，励起子，発光，表面プラズモン，表面増強ラマン散乱
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ワイドギャップ半導体及びイオン結晶の光学的性質に関する研究
研究期間：
Ⅱ-Ⅵ族ワイドキャップ半導体、ＺｎＳｅ、Ｇｅｌ4、フォトルミネッセンス、光物性
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ワイドギャップ半導体の光学的性質に関する研究
研究期間：
ＧａＮ、ＺｎＳｅ、フォトルミネッセンス、アルカリハライド
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ワイドギャップ半導体の光学的性質に関する研究
研究期間：
GaN、ZnO、アルカリハライド、フォトルミネッセンス、励起子
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Ⅱ‐Ⅵ族ワイドギャップ半導体の光学的性質に関する研究
研究期間：
ZnSe, 遠赤外、不純物吸収、格子欠陥、格子緩和