研究発表 - 前元 利彦
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InAs/AlGaSb バリスティック整流素子における電子輸送特性 (Ⅱ)
小山，高橋，井上，中島，前元，佐々，井上
口頭（一般）
2006年08月 -
サブテラヘルツ波検出を目指したダイオード構造の作製と特性評価
高橋, 井上, 前元, 佐々, 井上
口頭（一般）
2006年08月 -
低温ZnO バッファ層を用いたガラス基板上ZnO 薄膜のPLD 成長
石井，前元，佐々，井上
口頭（一般）
2006年08月 -
Ballistic Rectification effects in InAs/AlGaSb Nano-structures
M. Koyama, H. Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa and M. Inoue
口頭（一般）
2006年07月 -
Field characteristics of electron mobility and velocity in InAs/AlGaSb HFETs with high-k gate insulators
T. Maemoto, M. Koyama, H. Takahashi, S. Sasa, and M. Inoue
口頭（一般）
2006年07月 -
Nonlinear electron transport properties in InAs/AlGaSb ballistic rectifiers
M. Koyama, H.Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa and M. Inoue
口頭（一般）
2006年04月 -
InAs/AlGaSbバリスティック整流素子における電子輸送特性
小山，古川，高橋，前元，佐々，井上
口頭（一般）
2006年03月 -
Electron transport properties in InAs ballistic devices
M. Koyama, M. Inoue, M. Furukawa, H. Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa
口頭（一般）
2006年03月 -
Fabrication and characterization of field effect devices and nanostructures using antimonide-based compound semiconductores (ABCS)
T. Maemoto
口頭（一般）
2006年03月 -
Fabrication and characterization of field effect devices and nanostructures using antimonide-based compound semiconductores (ABCS) and transparect transistors using ZnO and ZnMgO films
T. Maemoto, K. Koike, M. Yano, S. Sasa, M. Inoue
口頭（一般）
2006年03月 -
InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果
小山，高橋，井上，前元，佐々，井上
口頭（一般）
2006年02月 -
Electron transport in InAs/AlGaSb ballistic rectifiers
T. Maemoto, M. Koyama, M. Furukawa, H. Takahashi, S. Sasa, M. Inoue
口頭（一般）
2005年12月 -
Structural and optical properties of ZnMgO thin films grown by pulsed laser deposition using ZnO-MgO multiple targets
T. Maemoto, N. Ichiba, H. Ishii, S. Sasa, and M. Inoue
口頭（一般）
2005年09月 -
InAs/AlSb 多重量子井戸のサブバンド間吸収（Ⅱ）
古川, 高橋,前元, 佐々, 井上, ララビー，河野
口頭（一般）
2005年09月 -
三角アンチドットを有するInAs/AlGaSb メゾ構造中における電子輸送特性
小山，古川，高橋，前元，佐々，井上
口頭（一般）
2005年09月 -
KCl処理を行ったZnO 薄膜の光学特性の改善とデバイス作製への応用
田中，市場，石井，前元，佐々，井上
口頭（一般）
2005年09月 -
Fabrication and characterization of InAs mesoscopic devices
M. Koyama, M. Furukawa, H. Ishii, M. Nakai, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
口頭（一般）
2005年07月 -
Fabrication and Characterization of InAs/AlGaSb HFET with High-k Gate Insulator
M. Koyama, M. Nakai, M. Furukawa, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
口頭（一般）
2005年04月