研究発表 - 前元 利彦
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Study for Enhancement of Terahertz Radiation Using GaSb/InAs Heterostructures
M. Koyama, Y. Kinoshita, M Tatsumi, T. Maemoto, S. Sasa, S. Hamauchi, I. Kawayama and M. Tonouchi
国際会議 The 20th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures ( Regency Hotel, Buffalo, NY, USA ) ポスター（一般）
2017年07月 -
Effects of He plasma treatment on zinc oxide thin film transistors
Shotaro Shinya, Toyokazu Kaneko, Masatoshi Koyama, Toshihiko Maemoto, and Shigehiko Sasa
国際会議 The 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai ( Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, Kyoto, Japan ) ポスター（一般）
2017年06月 -
Electron transport properties in self switching nano-diodes
T. Kiso, K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, M. Inoue
口頭（一般）
2012年02月 -
High transconductance zinc oxide thin-film transistors on flexible plastic substrates
Y. Kimura, T. Higaki, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
口頭（一般）
2012年02月 -
Room temperature growth of zinc oxide thin films by pulsed laser deposition and its flexible thin-film transistor application
Y. Kimura, T. Higaki, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
口頭（一般）
2011年11月 -
酸化物バッファ層を用いたフレキシブル基板上酸化亜鉛透明薄膜トランジスタの作製と評価
木村祐太，日垣友宏，前元利彦，佐々誠彦，井上正崇
口頭（一般）
2011年10月 -
Fabrication of high transconductance InZnO transparent thin film transistors by sol-gel method
Y. Fujihara, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
口頭（一般）
2011年10月 -
Fabrication and transport properties in InAs-based self switching nano-diodes
T. Kiso, K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, M. Inoue
口頭（一般）
2011年10月 -
高性能酸化亜鉛系薄膜トランジスタの作製と評価
矢部達也，前元利彦，佐々誠彦，井上正崇
口頭（一般）
2011年10月 -
Zinc Oxide Thin-Film Transistors on Flexible Plastic Substrates and Glass Substrates Fabricated at Room Temperature
T. Higaki, Y. Kimura, T. Maemoto, S. Sasa and M. Inoue
口頭（一般）
2011年09月 -
酸化物バッファを用いたフレキシブルプラスチック基板上ZnO薄膜トランジスタの伝達特性
日垣友宏，木村祐太，前元利彦，佐々誠彦，井上正崇
口頭（一般）
2011年09月 -
High-performance ZnO Flexible Thin-Film Transistor
T. Maemoto, T. Higaki, Y. Kimura, S. Sasa, M. Inoue
口頭（一般）
2011年08月 -
Transport Properties in InAs based Ballistic Rectifiers and Self-Switching Diodes
T. Kiso, T. Maemoto, K. Nishisaka, S. Sasa, S. Kasai, and M. Inoue
口頭（一般）
2011年08月 -
Flexible Zinc Oxide Thin-Film Transistors using Oxide Buffer Layers on Polyethylene Napthalate Substrates
T. Tachibana, Y. Kimura, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
口頭（一般）
2011年05月 -
Fabrication and Characterization of Antimonide-Based Composite-Channel InAs/AlGaSb HFETs using high-k gate insulators
T. Kiso, H. Yoshikawa, Y. Ishibashi, K. Nishisaka, K. Ogata, T. Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue
口頭（一般）
2011年05月 -
パルスレーザーアブレーション法による酸化亜鉛の非加熱成膜とフレキシブル基板への透明薄膜トランジスタ応用
橘 達也，日垣友宏，前元利彦，佐々誠彦，井上正崇
口頭（一般）
2010年12月 -
High-kゲート絶縁膜を用いたInAs/AlGaSb系HFETの作製と評価
吉川大生，木曽達也，石橋祐太郎，尾形健一，前元利彦，佐々誠彦，井上正祟
口頭（一般）
2010年12月 -
フレキシブル基板上への酸化亜鉛のPLD成長と薄膜トランジスタ応用
日垣友宏，橘 達也，前元利彦，佐々誠彦，井上正崇
口頭（一般）
2010年11月 -
Transport Properties of InAs-based Three-terminal Ballistic Junctions
H. Nishioka, Y. Ishibashi, T. Kiso, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai and M. Inoue
口頭（一般）
2010年11月 -
パルスレーザーアブレーション法による透明フレキシブル基板上ZnO-TFTの作製と特性評価
橘 達也，日垣友宏，前元利彦，佐々誠彦，井上正崇
口頭（一般）
2010年11月