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所属学会委員歴 【 表示 ／ 非表示 】

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論文 【 表示 ／ 非表示 】

論文 【 表示 ／ 非表示 】

• フレキシブル基板上に形成した酸化亜鉛薄膜トランジスタの曲げ耐性評価

  永山幸希，松田宗平，カルトシュタイン オリバー，大浦紀頼，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦  ( 共著 )

  表面と真空   61 ( 5 ) 274   2018年05月

  研究論文（学術雑誌）  日本語

• Study for Enhancement of Terahertz Radiation Using GaSb/InAs Heterostructures

  Shigehiko Sasa, Yohei Kinoshita, Masashi Tatsumi, Masatoshi Koyama, Toshihiko Maemoto, Shota Hamauchi, Iwao Kawayama and Masayoshi Tonouchi  ( 共著 )

  Journal of Physics: Conference Series   906   012015   2017年10月

  研究論文（国際会議プロシーディングス）  英語

• Effects of He plasma treatment on zinc oxide thin film transistors

  Shotaro Shinya, Toyokazu Kaneko, Masatoshi Koyama, Toshihiko Maemoto, and Shigehiko Sasa  ( 共著 )

  Proceedings of International Meeting on Future Electron Device, Kansai 2017     2017年06月

  研究論文（国際会議プロシーディングス）  英語

• Fabrication and characterization of fully transparent ZnO thin‐film transistors and self‐ switching nano‐diodes

  Y. Sun,K.Ashida,S.Sasaki,M.Koyama,T.Maemoto,S.Sasa  ( 共著 )

  Journal of Physics: Conference Series, 647, 012068   647   012068  

  研究論文（学術雑誌）  英語

• Electron transport in InAs field effect and mesoscopic device

  M. Koyama, M. Furukawa, T. Maemoto, S. Sasa and M. Inoue  ( 共著 )

  Institute of Physics Conference Series 187 (2006)445    

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総説・解説記事 【 表示 ／ 非表示 】

総説・解説記事 【 表示 ／ 非表示 】

• 溶液法を用いた酸化亜鉛系薄膜トランジスタの作製および熱ナノインプリント法による酸化物薄膜のダイレクトパターニング

  木村史哉, アブドゥラ ハナキ, 孫　屹, 佐々木祥太, 永山幸希, 小山政俊, 前元利彦, 佐々誠彦

  信学技報 ( 電子情報通信学会 ) 116 ( 471 ) ED2016-132, 13  

  その他記事  日本語

• InAs/AlGaSb 極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果

  小山政俊, 高橋寛, 井上達也，前元利彦, 佐々誠彦, 井上正崇

  信学技報 ( 電子情報通信学会 )   ED2006-252  

  その他記事  日本語

• InAs/AlGaSb 量子細線3分岐構造における非線形電子輸送

  小山政俊, 井上達也，藤原健司, 天野直樹，前元利彦, 佐々誠彦, 井上正崇

  信学技報 ( 電子情報通信学会 )   ED2007-242  

  その他記事  日本語

• 酸化物半導体を用いた薄膜デバイス応用の新展開

  前元利彦，孫　屹，松田宗平，佐々木翔太，芦田浩平，カルトシュタイン オリバー， 小山政俊，小池一歩，矢野満明，佐々誠彦

  IEICE Technical Report ( 電子情報通信学会 ) ED2015-121   1  

  総説・解説（学術雑誌）  日本語

工業所有権 【 表示 ／ 非表示 】

工業所有権 【 表示 ／ 非表示 】

• 半導体装置及び半導体装置の製造方法

  小山政俊

  出願国：日本国  出願日：2015年10月21日  出願人名称：住友電気工業株式会社

• 半導体装置の製造方法

  小山政俊

  出願国：日本国  出願日：2015年10月21日  出願人名称：住友電気工業株式会社

• 半導体装置の製造方法及び半導体装置

  小山政俊

  出願国：日本国  出願日：2015年10月21日  出願人名称：住友電気工業株式会社

• Method for manufacturing semiconductor device

  M. Koyama, K. Matsuura, T. Komatani

  出願国：日本国  出願日：2012年11月14日  出願人名称：Sumitomo Electric Device Innovations, Inc.

• Method for fabricating semiconductor device

  Masatoshi Koyama

  出願国：日本国  出願日：2011年07月13日  出願人名称：Sumitomo Electric Device Innovations, Inc.

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競争的資金等の研究課題 【 表示 ／ 非表示 】

競争的資金等の研究課題 【 表示 ／ 非表示 】

• 集積型ヘルスケアチップ実現に向けた溶液ゲートタイプのグルコースセンサーの開発

  科学研究費助成事業

  研究期間：2017年04月  -  2020年03月 

• InAs系複合構造を用いた室温動作テラヘルツ波検出器の開発

  科学研究費助成事業

  研究期間：2017年04月  -  2020年03月 

• 高品質InAs薄膜を利用した高強度テラヘルツパルス光源の開発

  科学研究費助成事業

  研究期間：2016年04月  -  2019年03月 

研究発表 【 表示 ／ 非表示 】

研究発表 【 表示 ／ 非表示 】

• GaSb/InAsヘテロ接合を用いたテラヘルツ波の放射強度増強の検討II

  巽 雅史，木下耀平，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦，寶田智哉，川山 巌，斗内政吉

  国内会議  応用物理学会春季学術講演会  ( 早稲田大学 )  口頭（一般）

  2018年03月

  　

  　

• GaSb/InAsヘテロ接合を用いたテラヘルツ波放射素子の検討

  木下耀平，巽雅史，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦，寶田 智哉，川山巌，斗内政吉

  国内会議  日本材料学会  ( 京都大学 )  口頭（一般）

  2017年11月

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  継続中

• Bending Experiment and Resistance evaluation of Zinc Oxide Thin Films Grown on Cyclo Olefin Polymer Substrates

  K. Oliver, K Nagayama, M. Koyama, T. Maemoto and S. Sasa

  国際会議  8th International Conference on Flexible and Printed Electronics 2017  ( Jeju island, Korea )  ポスター（一般）

  2017年09月

  　

  　

• 溶液法により形成したAl添加ZnO薄膜トランジスタのAl添加量依存性と焼結雰囲気による影響

  大浦・木村・小山・前元・佐々

  国内会議  応用物理学会秋季学術講演会  ( 福岡国際会議場 )  ポスター（一般）

  2017年09月

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  継続中

• ZnO TFTへのHeプラズマ処理の効果

  新屋 翔太郎，金子豊和，小山 政俊，前元 利彦，佐々 誠彦

  国内会議  応用物理学会秋季学術講演会  ( 福岡国際会議場 )  ポスター（一般）

  2017年09月

  -

  継続中

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担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】

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