小山 政俊 (コヤマ マサトシ)

KOYAMA.Masatoshi

写真a

職名

助教授・准教授

研究分野・キーワード

半導体工学、半導体デバイス、半導体物性、半導体製造プロセス

ホームページ

http://www.oit.ac.jp/www-ee/server/semicon/~shigess01/index.php

出身学校 【 表示 / 非表示

  • 大阪工業大学   工学部   電気電子システム工学科   その他

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 大阪工業大学大学院  工学研究科  博士課程  修了  その他

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 大阪工業大学大学院 -  博士(工学)  半導体物性・デバイス

所属学会 【 表示 / 非表示

  •  
     
     
     

    American Physical Society  その他

  •  
     
     
     

    Materials Research Society  その他

  •  
     
     
     

    日本材料学会  日本国

  •  
     
     
     

    The Electrochemical Society  その他

  • 2004年12月
    -
    継続中
     

    応用物理学会  その他

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所属学会委員歴 【 表示 / 非表示

  • 2021年04月
    -
    継続中

    応用物理学会 関西支部   幹事

  • 2018年06月
    -
    継続中

    電子情報通信学会 電子デバイス研究会   専門委員

研究分野 【 表示 / 非表示

  • 半導体工学

  • 半導体物性

  • 半導体物性

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Impact of optical absorption for THz radiation in GaSb/InAs heterostructures

    R. Ohashi, D. Shimada, M. Koyama, T. Maemoto, S. Sasa, F. Murakami, H. Murakami, M. Tonouchi  ( 共著 )

    2020 45th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)     2021年03月

    研究論文(国際会議プロシーディングス)  英語

    DOI

  • Development of terahertz optical sources for an excitation wavelength of 1.56 μm

    Daichi Shimada, Ryota Ohashi, Masatoshi Koyama, Toshihiko Maemoto, Shigehiko Sasa, Kosuke Okada, Hironaru Murakami, Masayoshi Tonouchi  ( 共著 )

    2020 45th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)     2021年03月

    研究論文(国際会議プロシーディングス)  英語

    DOI

  • Nonuniform Carrier Heating Induced Nonlinear Electron Transport Properties in Asymmetrically Necked InAs Mesa Structures

    Ryota Ohashi, Daichi Shimada, Masatoshi Koyama, Toshihiko Maemoto, Shigehiko Sasa  ( 共著 )

    ECS Meeting Abstracts   MA2020-02   3610   2020年10月

    研究論文(国際会議プロシーディングス)  英語

    DOI

  • 溶液塗布熱分解法で作製したHf0.5Zr0.5O2薄膜の特性評価

    矢野 満明, 井上 泰一, 大田 宗司, 河本 泰輝, 広藤 裕一, 小山 政俊, 小池 一歩  ( 共著 )

    材料   68 ( 10 ) 745 - 750   2019年10月

    研究論文(学術雑誌)  日本語

    DOI

  • The Thermal Stability of ε-Ga2O3 Thin Films Grown on (111) 3C-SiC Template Substrates

    Masatoshi Koyama, Toyokazu Kaneko, Sodai Fujiwara, Toshihiko Maemoto, and Shigehiko Sasa  ( 共著 )

    IEEE Xplore, Compound Semiconductor Week 2019     2019年05月

    研究論文(国際会議プロシーディングス)  英語

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総説・解説記事 【 表示 / 非表示

  • 溶液法を用いた酸化亜鉛系薄膜トランジスタの作製および熱ナノインプリント法による酸化物薄膜のダイレクトパターニング

    木村史哉, アブドゥラ ハナキ, 孫 屹, 佐々木祥太, 永山幸希, 小山政俊, 前元利彦, 佐々誠彦

    信学技報 ( 電子情報通信学会 ) 116 ( 471 ) ED2016-132, 13  

    その他記事  日本語

  • InAs/AlGaSb 極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果

    小山政俊, 高橋寛, 井上達也,前元利彦, 佐々誠彦, 井上正崇

    信学技報 ( 電子情報通信学会 )   ED2006-252  

    その他記事  日本語

  • InAs/AlGaSb 量子細線3分岐構造における非線形電子輸送

    小山政俊, 井上達也,藤原健司, 天野直樹,前元利彦, 佐々誠彦, 井上正崇

    信学技報 ( 電子情報通信学会 )   ED2007-242  

    その他記事  日本語

  • 酸化物半導体を用いた薄膜デバイス応用の新展開

    前元利彦,孫 屹,松田宗平,佐々木翔太,芦田浩平,カルトシュタイン オリバー, 小山政俊,小池一歩,矢野満明,佐々誠彦

    IEICE Technical Report ( 電子情報通信学会 ) ED2015-121   1  

    総説・解説(学術雑誌)  日本語

工業所有権 【 表示 / 非表示

  • 半導体装置の製造方法及び半導体装置

    小山政俊

    出願国:日本国  出願日:2015年10月21日  出願人名称:住友電気工業株式会社

  • 半導体装置の製造方法

    小山政俊

    出願国:日本国  出願日:2015年10月21日  出願人名称:住友電気工業株式会社

  • 半導体装置及び半導体装置の製造方法

    小山政俊

    出願国:日本国  出願日:2015年10月21日  出願人名称:住友電気工業株式会社

  • Method for manufacturing semiconductor device

    M. Koyama, K. Matsuura, T. Komatani

    出願国:日本国  出願日:2012年11月14日  出願人名称:Sumitomo Electric Device Innovations, Inc.

  • Method for fabricating semiconductor device

    Masatoshi Koyama

    出願国:日本国  出願日:2011年07月13日  出願人名称:Sumitomo Electric Device Innovations, Inc.

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競争的資金等の研究課題 【 表示 / 非表示

  • シリコン基板を用いた「酸化ガリウム高電子移動度トランジスタ」の開発

    科学研究費助成事業 基盤研究(C)

    研究期間:2021年04月  -  2024年03月 

  • 腎機能低下の早期発見に役立つ「絹フィブロインを用いたバイオセンサー」の開発

    科研費基盤研究(C)(分担)

    研究期間:2020年04月  -  2024年03月 

  • ヘテロ接合を利用した高強度テラヘルツパルス光源の開発

    科研費基盤研究(C)(分担)

    研究期間:2019年04月  -  2022年03月 

  • InAs系複合構造を用いた室温動作テラヘルツ波検出器の開発

    科学研究費助成事業 若手研究(B)

    研究期間:2017年04月  -  2021年03月 

  • 集積型ヘルスケアチップ実現に向けた溶液ゲートタイプのグルコースセンサーの開発

    科研費基盤研究(C)(分担)

    研究期間:2017年04月  -  2020年03月 

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研究発表 【 表示 / 非表示

  • 分子線エピタキシー法で成膜したInAs薄膜を用いたテラヘルツ受発光素子の開発

    小山政俊

    国内会議  光科学若手研究会(第25回)  ( Zoom(Online) )  口頭(招待・特別)

    2021年05月
     
     

  • Terahertz time-domain spectroscopy of GaAs epitaxial layers treated with the use of fast atom bombardment

    Hideo Takeuchi, Yuto Omuku, Ryota Onoda, Toshihiro Nakaoka, Jun Utsumi, Shigeo Kawasaki, and Masatoshi Koyama

    国際会議  31st International Conference on Defects in Semiconductors (ICSD31) 2021  ( Oslo )  ポスター(一般)

    2021年07月
     
     

  • 異種材料を積層させたグラフェンのガスセンシング特性

    藤元章,前田翔児,井須亮太,柏木行康,玉井聡行,竹内美洋,菅洋志,小山政俊,小池一歩,矢野満明,塚越一仁,Eric M. Vogel

    国内会議  日本物理学会第76回年次大会  ( オンライン )  口頭(一般)

    2021年03月
     
     

  • フレキシブル基板上に形成した酸化物薄膜の繰り返し 曲げ耐久性評価とX線回折による構造解析

    大浦 紀頼, 熊谷 敏宏, 和田 英男 ,小山 政俊,前元 利彦,佐々 誠彦

    国際会議  第68回応用物理学会春季学術講演会  ( Online )  ポスター(一般)

    2021年03月
     
     

  • 溶液プロセス によ る酸化物積層薄膜トランジスタの作製とAZOバッファ層の 焼結雰囲気 および 膜厚依存性

    大浦 紀頼, 和田 英男 ,小山 政俊,前元 利彦,佐々 誠彦

    国内会議  第68回応用物理学会春季学術講演会  ( Online )  口頭(一般)

    2021年03月
     
     

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担当授業科目(学内) 【 表示 / 非表示

  • 半導体エレクトロニクス特論   ( 講義 )

  • 材料デバイス開発実務特論   ( 実験実習 )

  • 電気電子材料   ( 講義 )

  • 電気数学   ( 講義 )

  • センサ工学   ( 講義 )

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その他教育活動及び特記事項 【 表示 / 非表示

  • 2019年度 電気電子システム工学科 国際PBL

    2019年08月
     
     

    その他  共同

    代表者名:吉田恵一郎 

  • 2018年度 電気電子システム工学科 国際PBL

    2018年08月
     
     

    その他  共同