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職名 |
講師 |
所属学会 【 表示 ／ 非表示 】
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American Physical Society その他
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IEEE その他
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Materials Research Society その他
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日本材料学会 日本国
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The Electrochemical Society その他
論文 【 表示 ／ 非表示 】
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溶液塗布熱分解法で作製したHf0.5Zr0.5O2薄膜の特性評価
矢野 満明, 井上 泰一, 大田 宗司, 河本 泰輝, 広藤 裕一, 小山 政俊, 小池 一歩 ( 共著 )
材料 68 ( 10 ) 745 - 750 2019年10月
研究論文（学術雑誌） 日本語
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The Thermal Stability of ε-Ga2O3 Thin Films Grown on (111) 3C-SiC Template Substrates
Masatoshi Koyama, Toyokazu Kaneko, Sodai Fujiwara, Toshihiko Maemoto, and Shigehiko Sasa ( 共著 )
IEEE Xplore, Compound Semiconductor Week 2019 2019年05月
研究論文（国際会議プロシーディングス） 英語
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Enhanced Terahertz Radiation From GaSb/InAs Heterostructures
S. Sasa, M. Tatsumi, Y. Kinoshita, M. Koyama, T. Maemoto, I. Kawayama, and M. Tonouchi ( 共著 )
43rd International Conference on Infrared Millimeter and Terahertz Waves 2018年09月
研究論文（学術雑誌） 英語
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フレキシブル基板上に形成した酸化亜鉛薄膜トランジスタの曲げ耐性評価
永山幸希，松田宗平，カルトシュタイン オリバー，大浦紀頼，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦 ( 共著 )
表面と真空 61 ( 5 ) 274 2018年05月
研究論文（学術雑誌） 日本語
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Study for Enhancement of Terahertz Radiation Using GaSb/InAs Heterostructures
Shigehiko Sasa, Yohei Kinoshita, Masashi Tatsumi, Masatoshi Koyama, Toshihiko Maemoto, Shota Hamauchi, Iwao Kawayama and Masayoshi Tonouchi ( 共著 )
Journal of Physics: Conference Series 906 012015 2017年10月
研究論文（国際会議プロシーディングス） 英語
総説・解説記事 【 表示 ／ 非表示 】
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InAs/AlGaSb 極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果
小山政俊, 高橋寛, 井上達也，前元利彦, 佐々誠彦, 井上正崇
信学技報 ( 電子情報通信学会 ) ED2006-252
その他記事 日本語
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InAs/AlGaSb 量子細線3分岐構造における非線形電子輸送
小山政俊, 井上達也，藤原健司, 天野直樹，前元利彦, 佐々誠彦, 井上正崇
信学技報 ( 電子情報通信学会 ) ED2007-242
その他記事 日本語
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酸化物半導体を用いた薄膜デバイス応用の新展開
前元利彦，孫 屹，松田宗平，佐々木翔太，芦田浩平，カルトシュタイン オリバー， 小山政俊，小池一歩，矢野満明，佐々誠彦
IEICE Technical Report ( 電子情報通信学会 ) ED2015-121 1
総説・解説（学術雑誌） 日本語
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溶液法を用いた酸化亜鉛系薄膜トランジスタの作製および熱ナノインプリント法による酸化物薄膜のダイレクトパターニング
木村史哉, アブドゥラ ハナキ, 孫 屹, 佐々木祥太, 永山幸希, 小山政俊, 前元利彦, 佐々誠彦
信学技報 ( 電子情報通信学会 ) 116 ( 471 ) ED2016-132, 13
その他記事 日本語
工業所有権 【 表示 ／ 非表示 】
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半導体装置の製造方法
小山政俊
出願国：日本国 出願日：2015年10月21日 出願人名称：住友電気工業株式会社
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半導体装置の製造方法及び半導体装置
小山政俊
出願国：日本国 出願日：2015年10月21日 出願人名称：住友電気工業株式会社
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半導体装置及び半導体装置の製造方法
小山政俊
出願国：日本国 出願日：2015年10月21日 出願人名称：住友電気工業株式会社
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Method for manufacturing semiconductor device
M. Koyama, K. Matsuura, T. Komatani
出願国：日本国 出願日：2012年11月14日 出願人名称：Sumitomo Electric Device Innovations, Inc.
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Method for fabricating semiconductor device
Masatoshi Koyama
出願国：日本国 出願日：2011年07月13日 出願人名称：Sumitomo Electric Device Innovations, Inc.
競争的資金等の研究課題 【 表示 ／ 非表示 】
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ヘテロ接合を利用した高強度テラヘルツパルス光源の開発
科研費
研究期間：2019年04月 - 2022年03月
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集積型ヘルスケアチップ実現に向けた溶液ゲートタイプのグルコースセンサーの開発
科学研究費助成事業
研究期間：2017年04月 - 2020年03月
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InAs系複合構造を用いた室温動作テラヘルツ波検出器の開発
科学研究費助成事業
研究期間：2017年04月 - 2020年03月
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高品質InAs薄膜を利用した高強度テラヘルツパルス光源の開発
科学研究費助成事業
研究期間：2016年04月 - 2019年03月
研究発表 【 表示 ／ 非表示 】
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水系前駆体溶液とエキシマ光アシストアニーリングによる溶液プロセスを用いた酸化インジウム薄膜の低温形成
高野圭祐，大浦紀頼，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦，竹添法隆，清水昭宏，伊藤寛泰
国内会議 第67回応用物理学会春季学術講演会 ( 上智大学 ) 口頭（一般）
2020年03月 -
Al添加ZnO薄膜のPLD成長における成長分圧依存および熱処理効果
熊谷敏広, 大浦紀頼， 和田英男，小山政俊, 前元利彦, 佐々誠彦
国内会議 第67回応用物理学会春季学術講演会 ( 上智大学 ) ポスター（一般）
2020年03月 -
InGaSb/InAsヘテロ接合を用いた1.55µm励起高強度THz放射素子の開発
島田乃地，大橋亮太，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦，村上史和，村上博成，斗内政吉
国内会議 第67回応用物理学会春季学術講演会 ( 上智大学 ) 口頭（一般）
2020年03月 -
(In)GaSb/InAsヘテロ接合を用いた高強度テラヘルツ放射素子の研究
大橋亮太，島田乃地，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦，村上史和，村上博成，斗内政吉
国内会議 第67回応用物理学会春季学術講演会 ( 上智大学 ) 口頭（一般）
2020年03月 -
酸化インジウムを積層させたグラフェンのガスセンシング評価
井須 亮太，前田 翔児，藤元 章，Perini Christopher，寺澤 大樹，福田 昭，小山 政俊，原田 義之，小池 一歩，矢野 満明，塚越一仁, Vogel Eric
国内会議 第67回応用物理学会春季学術講演会 ( 上智大学 ) 口頭（一般）
2020年03月