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職名 |
助教授・准教授 |
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研究分野・キーワード |
半導体工学、半導体デバイス、半導体物性、半導体製造プロセス |
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ホームページ |
http://www.oit.ac.jp/www-ee/server/semicon/~shigess01/index.php |
小山 政俊 (コヤマ マサトシ)
KOYAMA.Masatoshi
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所属学会 【 表示 ／ 非表示 】
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American Physical Society その他
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Materials Research Society その他
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日本材料学会 日本国
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The Electrochemical Society その他
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2004年12月-継続中
応用物理学会 その他
所属学会委員歴 【 表示 ／ 非表示 】
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2021年04月-継続中
応用物理学会 関西支部 幹事
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2018年06月-継続中
電子情報通信学会 電子デバイス研究会 専門委員，幹事補佐
論文 【 表示 ／ 非表示 】
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溶液プロセスを用いた酸化インジウム薄膜のエキシマ光による低温形成と薄膜トランジスタの特性評価
大浦紀頼，和田英男，小山政俊，前元利彦，佐々誠彦，竹添法隆，清水明宏，伊藤寛泰 ( 共著 )
表面と真空 65 41 - 46 2022年03月
研究論文（学術雑誌） 日本語
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Improved electrical performance of solution-processed zinc oxide-based thin-film transistors with bilayer structure
Kazuyori Oura, Hideo Wada, Masatoshi Koyama, Toshihiko Maemoto, and Shigehiko Sasa ( 共著 )
Journal of Information Display 23 105 - 113 2021年12月
研究論文（学術雑誌） 英語
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Impact of optical absorption for THz radiation in GaSb/InAs heterostructures
R. Ohashi, D. Shimada, M. Koyama, T. Maemoto, S. Sasa, F. Murakami, H. Murakami, M. Tonouchi ( 共著 )
2020 45th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz) 2021年03月
研究論文（国際会議プロシーディングス） 英語
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Development of terahertz optical sources for an excitation wavelength of 1.56 μm
Daichi Shimada, Ryota Ohashi, Masatoshi Koyama, Toshihiko Maemoto, Shigehiko Sasa, Kosuke Okada, Hironaru Murakami, Masayoshi Tonouchi ( 共著 )
2020 45th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz) 2021年03月
研究論文（国際会議プロシーディングス） 英語
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Nonuniform Carrier Heating Induced Nonlinear Electron Transport Properties in Asymmetrically Necked InAs Mesa Structures
Ryota Ohashi, Daichi Shimada, Masatoshi Koyama, Toshihiko Maemoto, Shigehiko Sasa ( 共著 )
ECS Meeting Abstracts MA2020-02 3610 2020年10月
研究論文（国際会議プロシーディングス） 英語
総説・解説記事 【 表示 ／ 非表示 】
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酸化物半導体を用いた薄膜デバイス応用の新展開
前元利彦，孫 屹，松田宗平，佐々木翔太，芦田浩平，カルトシュタイン オリバー， 小山政俊，小池一歩，矢野満明，佐々誠彦
IEICE Technical Report ( 電子情報通信学会 ) ED2015-121 1
総説・解説（学術雑誌） 日本語
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溶液法を用いた酸化亜鉛系薄膜トランジスタの作製および熱ナノインプリント法による酸化物薄膜のダイレクトパターニング
木村史哉, アブドゥラ ハナキ, 孫 屹, 佐々木祥太, 永山幸希, 小山政俊, 前元利彦, 佐々誠彦
信学技報 ( 電子情報通信学会 ) 116 ( 471 ) ED2016-132, 13
その他記事 日本語
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InAs/AlGaSb 極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果
小山政俊, 高橋寛, 井上達也，前元利彦, 佐々誠彦, 井上正崇
信学技報 ( 電子情報通信学会 ) ED2006-252
その他記事 日本語
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InAs/AlGaSb 量子細線3分岐構造における非線形電子輸送
小山政俊, 井上達也，藤原健司, 天野直樹，前元利彦, 佐々誠彦, 井上正崇
信学技報 ( 電子情報通信学会 ) ED2007-242
その他記事 日本語
工業所有権 【 表示 ／ 非表示 】
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半導体装置の製造方法及び半導体装置
小山政俊
出願国：日本国 出願日：2015年10月21日 出願人名称：住友電気工業株式会社
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半導体装置の製造方法
小山政俊
出願国：日本国 出願日：2015年10月21日 出願人名称：住友電気工業株式会社
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半導体装置及び半導体装置の製造方法
小山政俊
出願国：日本国 出願日：2015年10月21日 出願人名称：住友電気工業株式会社
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Method for manufacturing semiconductor device
M. Koyama, K. Matsuura, T. Komatani
出願国：日本国 出願日：2012年11月14日 出願人名称：Sumitomo Electric Device Innovations, Inc.
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Method for fabricating semiconductor device
Masatoshi Koyama
出願国：日本国 出願日：2011年07月13日 出願人名称：Sumitomo Electric Device Innovations, Inc.
競争的資金等の研究課題 【 表示 ／ 非表示 】
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シリコン基板を用いた「酸化ガリウム高電子移動度トランジスタ」の開発
科学研究費助成事業 基盤研究(C)
研究期間：2021年04月 - 2024年03月
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腎機能低下の早期発見に役立つ「絹フィブロインを用いたバイオセンサー」の開発
科研費基盤研究(C)（分担）
研究期間：2020年04月 - 2024年03月
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ヘテロ接合を利用した高強度テラヘルツパルス光源の開発
科研費基盤研究(C)（分担）
研究期間：2019年04月 - 2022年03月
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InAs系複合構造を用いた室温動作テラヘルツ波検出器の開発
科学研究費助成事業 若手研究(B)
研究期間：2017年04月 - 2021年03月
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集積型ヘルスケアチップ実現に向けた溶液ゲートタイプのグルコースセンサーの開発
科研費基盤研究(C)（分担）
研究期間：2017年04月 - 2020年03月
研究発表 【 表示 ／ 非表示 】
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InGaSb/InAs ヘテロ接合を用いた高強度テラヘルツ放射素子の研究（II）
高木 善之、長谷川 尊之、小山 政俊、前元 利彦、佐々 誠彦
国際会議 応用物理学会 関西支部 第１回講演会 ( 大阪大学 吹田キャンパス ) ポスター（一般）
2022年05月 -
溶液塗布熱分解法によって成膜したc面サファイア基板上 β-Ga2O3 の物性評価
小山政俊、豊田和晃、大内涼介、廣芝伸哉、小池一歩
国内会議 応用物理学会 春季学術講演会 ( 青山学院大学＋オンライン ) 口頭（一般）
2022年03月 -
InGaSb/InAsヘテロ接合を用いた高強度テラヘルツ放射素子の研究
高木善之，長谷川尊之, 小山政俊，前元利彦，佐々誠彦
国内会議 応用物理学会 春季学術講演会 ( 青山学院大学＋オンライン ) ポスター（一般）
2022年03月 -
MOD法によるガラス基板へのVO2薄膜の成膜と特性評価
扶川泰斗, 豊田和晃, 大内涼介, 小池一歩, 小山政俊, 和田英男, 河原正美
国内会議 第19回 赤外放射応用関連学会等年会 ( オンライン ) 口頭（一般）
2022年01月 -
スピンコート法によるサファイア基板上へのβ構造 酸化ガリウム薄膜の作製と構造および光学特性評価
豊田 和晃, 大内 涼介, 小山 政俊, 廣芝 伸哉, 小池 一歩
国内会議 電気関係学会関西連合大会 口頭（一般）
2021年12月