小山 政俊 (コヤマ マサトシ)

KOYAMA.Masatoshi

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職名

講師

所属学会 【 表示 / 非表示

  •  
     
     
     

    American Physical Society  その他

  •  
     
     
     

    IEEE  その他

  •  
     
     
     

    Materials Research Society  その他

  •  
     
     
     

    日本材料学会  日本国

  •  
     
     
     

    The Electrochemical Society  その他

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論文 【 表示 / 非表示

  • Electron transport in InAs field effect and mesoscopic device

    M. Koyama, M. Furukawa, T. Maemoto, S. Sasa and M. Inoue  ( 共著 )

    Institute of Physics Conference Series 187 (2006)445    

  • Fabrication and characterization of InAs Mesoscopic Devices

    M. Koyama, M. Furukawa, H. Ishii, M. Nakai, T. Maemoto, S. Sasa and M. Inoue  ( 共著 )

    Springer Prceedings in Physics 110 (2006) 7    

  • Electron Transport in InAs/AlGaSb Ballistic Rectifiers

    T. Maemoto, M.Koyama, M. Furukawa, H. Takahashi, S. Sasa and M. Inoue  ( 共著 )

    Journal of Physics: Conf. See. 38 (2006) 112    

  • Ballistic Rectification effects in InAs/AlGaSb nanostructures

    M. Koyama, H. Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa and M. Inoue

    AIP Conference Proceedings 893 (2007) 577    

  • Field characteristics of electron mobility and velocity in InAs/AlGaSb HFETs with high-k gate insulators

    T. Maemoto, M. Koyama, H. Takahashi, S. Sasa and M. Inoue  ( 共著 )

    AIP Conference Proceedings 893 (2007)    

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総説・解説記事 【 表示 / 非表示

  • 溶液法を用いた酸化亜鉛系薄膜トランジスタの作製および熱ナノインプリント法による酸化物薄膜のダイレクトパターニング

    木村史哉, アブドゥラ ハナキ, 孫 屹, 佐々木祥太, 永山幸希, 小山政俊, 前元利彦, 佐々誠彦

    信学技報 ( 電子情報通信学会 ) 116 ( 471 ) ED2016-132, 13  

    その他記事  日本語

  • InAs/AlGaSb 極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果

    小山政俊, 高橋寛, 井上達也,前元利彦, 佐々誠彦, 井上正崇

    信学技報 ( 電子情報通信学会 )   ED2006-252  

    その他記事  日本語

  • InAs/AlGaSb 量子細線3分岐構造における非線形電子輸送

    小山政俊, 井上達也,藤原健司, 天野直樹,前元利彦, 佐々誠彦, 井上正崇

    信学技報 ( 電子情報通信学会 )   ED2007-242  

    その他記事  日本語

  • 酸化物半導体を用いた薄膜デバイス応用の新展開

    前元利彦,孫 屹,松田宗平,佐々木翔太,芦田浩平,カルトシュタイン オリバー, 小山政俊,小池一歩,矢野満明,佐々誠彦

    IEICE Technical Report ( 電子情報通信学会 ) ED2015-121   1  

    総説・解説(学術雑誌)  日本語

工業所有権 【 表示 / 非表示

  • 半導体装置及び半導体装置の製造方法

    小山政俊

    出願国:日本国  出願日:2015年10月21日  出願人名称:住友電気工業株式会社

  • 半導体装置の製造方法

    小山政俊

    出願国:日本国  出願日:2015年10月21日  出願人名称:住友電気工業株式会社

  • 半導体装置の製造方法及び半導体装置

    小山政俊

    出願国:日本国  出願日:2015年10月21日  出願人名称:住友電気工業株式会社

  • Method for manufacturing semiconductor device

    M. Koyama, K. Matsuura, T. Komatani

    出願国:日本国  出願日:2012年11月14日  出願人名称:Sumitomo Electric Device Innovations, Inc.

  • Method for fabricating semiconductor device

    Masatoshi Koyama

    出願国:日本国  出願日:2011年07月13日  出願人名称:Sumitomo Electric Device Innovations, Inc.

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研究発表 【 表示 / 非表示

  • ゾルゲル成膜したZnO薄膜の乾燥温度依存性とTFTへの応用

    川上 祐貴 尾形 健一 小山 政俊 前元 利彦 佐々 誠彦

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 平成27年度第2回研究会  ( 京都大学 桂キャンパス )  口頭(一般)

    2016年11月
     
     

  • InAs 薄膜からのTHz 放射高強度化の検討

    澤田創,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦,斗内政吉

    テラヘルツ科学の最先端II  ( 仙台 作並温泉 )  ポスター(一般)

    2016年11月
     
     

  • 酸化亜鉛を用いた透明セルフスイッチングナノダイオードの作製と評価

    孫 屹、芦田 浩平、松田 宗平、小山 政俊、前元 利彦、佐々 誠彦、葛西 誠也

    応用物理学会  ( 東京工業大学 )  ポスター(一般)

    2016年03月
     
     

  • 溶液法により作製したAl添加ZnO薄膜トランジスタの焼結雰囲気によるトランジスタ特性への影響

    佐々木 祥太、木村 史哉、孫 屹、小山 政俊、前元 利彦、佐々誠彦

    応用物理学会  ( 東京工業大学 )  ポスター(一般)

    2016年03月
     
     

  • ゾルゲル法を用いたZnO系TFTの作製と評価

    大東 隆文、大溝 悠樹、小山 政俊、前元 利彦、佐々 誠彦

    応用物理学会  ( 東京工業大学 )  ポスター(一般)

    2016年03月
     
     

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