廣芝 伸哉 (ヒロシバ ノブヤ)

HIROSHIBA Nobuya

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職名

助教授・准教授

研究分野・キーワード

有機デバイス,ナノ物性,ナノリソグラフィ,電気電子材料

出身学校 【 表示 / 非表示

  • 大阪市立大学   理学部   物質科学科   日本国

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 東北大学  理学研究科  物理学専攻  修士課程  修了  日本国

  • 筑波大学  数理物質科学研究科  物性・分子工学専攻  博士課程  修了  日本国

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 筑波大学 -  博士(工学)  薄膜・表面界面物性

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 2004年09月
    -
    継続中
     

    日本物理学会  日本国

  • 2006年07月
    -
    継続中
     

    応用物理学会  日本国

  • 2021年07月
    -
    継続中
     

    電気学会  日本国

所属学会委員歴 【 表示 / 非表示

  • 2015年07月
    -
    2020年03月

    マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議 (MNC)   委員 (2-5 Organic Nanomaterials)

  • 2020年03月
    -
    2022年03月

    応用物理学会 有機分子・バイオエレクトロニクス分科会   幹事

  • 2021年04月
    -
    2023年03月

    電気学会 エマージングフレキシブルデバイス材料技術調査専門委員会   委員

  • 2021年10月
    -
    継続中

    日本機械学会 プリンタブル・ウェアラブルデバイスの基盤技術と応用に関する研究 分科会   委員

  • 2023年03月
    -
    継続中

    応用物理学会 有機分子・バイオエレクトロニクス分科会   幹事

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研究分野 【 表示 / 非表示

  • ナノマイクロシステム

  • デバイス関連化学

  • 薄膜・表面界面物性

  • 電子・電気材料工学

取得資格 【 表示 / 非表示

  • 国家公務員採用Ⅰ種試験

  • 普通自動車免許(一種)

 

論文 【 表示 / 非表示

  • MOD 法によるガラス基板上へのVO₂薄膜の低温成膜

    和田 英男,扶川 泰斗,廣芝 伸哉,小池 一歩,河原 正美  ( 共著 )

    材料   73 ( 2 ) 172 - 177   2024年02月

    研究論文(学術雑誌)  日本語

  • Characterization of the VO2 thin films grown on glass substrates by MOD

    Hideo Wada, Taito Fukawa, Kazuaki Toyota, Masatoshi Koyama, Nobuya Hiroshiba, Kazuto Koike  ( 単著 )

    Electronics and Communications in Japan   106 ( 3 ) e12403   2023年09月

    研究論文(学術雑誌)  英語

    DOI

  • Fabrication and Evaluation of YBa2Cu3O7-δ Probe for Scanning Probe Microscopy

    Seiichiro Ariyoshi , Atsushi Ebata , Baku Ohnishi , Satoshi Ohnishi , Takafumi Kanada , Kanji Hayashi , Yuji Miyato , Saburo Tanaka , Nobuya Hiroshiba  ( 共著 )

    IEEE Transactions on Applied Superconductivity   33 ( 5 ) 1 - 4   2023年08月

    研究論文(学術雑誌)  英語

    DOI

  • 低速蒸着法による SiO2基板上へのジナフトチエノチオフェン(DNTT)薄膜の初期形成過程

    廣芝 伸哉  ( 単著 )

    有機分子・バイオエレクトロニクス分科会会誌   34 ( 2 ) 65 - 72   2023年06月

    研究論文(研究会,シンポジウム資料等)  日本語

  • Early stage growth process of dinaphtho[2, 3‐b:2', 3'‐f]thieno[3, 2‐b]thiophene (DNTT) thin film

    Nobuya Hiroshiba, Yuta Kawano, Richard Ongko, Ryosuke Matsubara, Atsushi Kubono, Hirotaka Kojima, Kazuto Koike  ( 共著 )

    physica status solidi(a)   1   2023年05月

    研究論文(学術雑誌)  英語

    DOI

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著書 【 表示 / 非表示

総説・解説記事 【 表示 / 非表示

  • 拡張ゲート電界効果トランジスターを用いたバイオセンサー

    廣芝伸哉, 小池一歩  ( 共著 )

    設計工学 ( 公益社団法人 日本設計工学会 ) 58 ( 3 ) 84 - 87   2023年02月

    総説・解説(大学・研究所紀要)  日本語

工業所有権 【 表示 / 非表示

  • グラフェンシートとの一体化ZnOナノロッド、およびグラフェンシート上へのZnOナノロッドの製造方法

    特許

    特願:特願2014-096012  特開:特開2015-212213 

    市川洋, 廣芝 伸哉 , 奥村 竜二

    出願国:日本国  出願日:2014年05月07日  出願人名称:国立大学法人 名古屋工業大学

    公開日:2015年11月26日 

    グラフェンシート上に一方向に配向したZnOナノロッドを簡易な方法で合成する。本方法で得られたグラフェンシートとの一体化した酸化亜鉛ナノロッドをデバイス化する。【解決手段】長手方向端面でグラフェンシートと一体化した配向した複数の酸化亜鉛ナノロッドであり、グラフェンシート上に水熱合成により複数の酸化亜鉛ナノロッドを形成する。そして、酸化亜鉛ナノロッドの表面に別途用意したグラフェンシートを固着させて、酸化亜鉛ナノロッドの長手方向の両端面にグラフェンシートを一体化する

    J-GLOBAL

  • X字状ZnOナノロッドおよびその製造方法

    特許

    特願:特願2014-002987  特開:特開2015-131738 

    市川洋, 廣芝 伸哉

    出願国:日本国  出願日:2014年01月10日  出願人名称:国立大学法人 名古屋工業大学

    公開日:2015年07月23日 

    【課題】ZnOナノロッドを基板面に斜めに成長するようにその配向を制御する。【解決手段】ロッドの径がナノメートルサイズのX字状酸化亜鉛ナノロッドであり、交差する2本のロッドの長軸方向のなす角度が10°〜120°である。R面サファイア基板上に酸化亜鉛の薄膜を形成し、亜鉛塩水溶液に塩基を加えた溶液中に基板を浸漬することにより、前記薄膜を成長核として、基板面上にX字状に配向した酸化亜鉛ナノロッドが複数形成される。

    J-GLOBAL

  • ZnOナノロッドアレイへのレーザー溶融による電極形成方法

    特許

    特願:特願2013-263145  特開:特開2015-117171 

    市川洋, 廣芝 伸哉

    出願国:日本国  出願日:2013年12月20日  出願人名称:国立大学法人 名古屋工業大学

    公開日:2015年06月25日 


    【課題】簡便な方法でロッド状の酸化亜鉛微粒子を基板上に配向させ、微粒子端面に電極を形成する。【解決手段】基板上に酸化亜鉛の薄膜を形成し、該薄膜を核として、亜鉛塩水溶液に塩基を加えて基板面に垂直に配向したロッド状の酸化亜鉛微粒子を複数形成し、配向した酸化亜鉛微粒子の端面にレーザーを照射して端面近傍を溶融させ、連続的な端面を形成する。さらに、ロッド状酸化亜鉛微粒子の連続的な端面に、金属あるいは合金からなる電極膜を形成する。

    J-GLOBAL

  • ZnOナノロッドアレイへのレーザー溶融による電極形成方法

    特許

    特願:特願2013-223852  特開:特開2015-085549 

    廣芝 伸哉, 市川洋

    出願国:日本国  出願日:2013年10月29日  出願人名称:国立大学法人 名古屋工業大学

    公開日:2015年05月07日 

    課題】簡便、安価、かつ微細パターンを有するナノインプリント用モールドおよびその製造方法、ならびに当該モールドを用いた転写方法を提供する【解決手段】自己組織化で形成され、モールドの凸部表面の少なくとも一部が酸化物であるナノインプリント用モールド。有機金属化合物を含む有機溶液を基板上に塗布し、乾燥させ、さらに600°C〜900°C、大気中にて焼成し、さらにリアクティブイオンエッチングを行い、ナノインプリント用モールドを製造する。このナノインプリント用モールドを用いて、硬化性樹脂あるいは光硬化性樹脂にパターンを転写する。

    J-GLOBAL

研究発表 【 表示 / 非表示

  • Hf0.5Zr0.5O2絶縁膜上へ溶液塗布成膜したTIPS-ペンタセン薄膜の構造評価

    河野裕太,北村太慈,山本英資,小池一歩,丸山伸伍,廣芝伸哉

    国内会議  電気学会 次世代デバイス応用へ向けたエコシステム材料の合成・物性評価  口頭(一般)

    2023年11月
     
     

  • 拡張ゲートFET型クレアチニンセンサーの作製と性能評価

    道端 涼, 日後 太一, 前川 英輝, 楯 凱貴, 山本 青依, 広藤 裕一, 廣芝 伸哉, 小池 一歩

    国内会議  電気学会 エコシステム材料技術調査専門委員会  口頭(一般)

    2023年11月
     
     

  • 溶液塗布熱分解法による酸化バナジウム薄膜の作製と高感度pHセンサー応用

    楯 凱貴,道端 涼,山本 青依,広藤 裕一,熊代 良太郎, 小池 一歩,廣芝 伸哉

    国内会議  電気学会 エコシステム材料技術調査専門委員会  口頭(一般)

    2023年11月
     
     

  • Development of Scanning Tunneling Spectroscopy Technology using YBa2Cu3O7-δ Probe

    Seiichiro Ariyoshi, Baku Ohnishi, Ryuichi Taguchi, Kanji Hayashi, Saburo Tanaka, Yuji Miyato, Yoshihiko Takano, and Nobuya Hiroshiba

    国際会議  The 18th International Superconductive Electronics Conference (ISEC 2023)  ( Nanjing, China )  口頭(招待・特別)

    2023年11月
     
     

  • Hf0.5Zr0.5O2絶縁膜上へのTIPS-ペンタセン塗布成膜

    河野裕太,北村太慈,小池一歩,丸山伸伍,廣芝伸哉

    国内会議  第84回応用物理学会秋季学術講演会  ( 熊本城ホール )  口頭(一般)

    2023年09月
     
     

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担当授業科目(学内) 【 表示 / 非表示

  • 半導体デバイス工学   ( 講義 )

  • 半導体デバイス基礎   ( 講義 )

  • 基礎電子回路I   ( 講義 )

  • 材料・デバイス開発実務特論   ( 講義 )

  • 半導体デバイス工学特論   ( 講義 )

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その他教育活動及び特記事項 【 表示 / 非表示

  • D科 2年生担当

    2023年04月
    -
    継続中

    その他  単独

  • 電子工作研究会 顧問

    2023年04月
    -
    継続中

    その他  単独

  • 電子工作研究会 副顧問

    2022年04月
    -
    2023年03月

    その他  単独

  • D科 1年生担当

    2022年04月
    -
    2023年03月

    その他  単独

  • 教育方法の実践

    2021年04月
    -
    継続中

    その他  単独

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