研究発表 - 鎌倉 良成
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放射加熱／放射冷却を利用した環境発電実験とその解析
鎌倉 良成
国内会議 エネルギーハーベスティングコンソーシアム×アンビエントロニクス研究所合同シンポジウム 口頭（招待・特別）
2021年03月 -
放射加熱／冷却を利用した環境発電装置の評価と解析
東 星輝, 鈴木 悠平, 鎌倉 良成
国内会議 2021年電子情報通信学会総合大会 口頭（一般）
2021年03月 -
モンテカルロシミュレーションによる微細Siワイヤのフォノンの平均自由行程の解析
鈴木 悠平, 藤田 悠摩, ファウジア ホティマトゥル, 野北 崇人, 池田 浩也, 渡邉 孝信, 鎌倉 良成
国内会議 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 口頭（一般）
2020年11月 -
A model of dark current mechanism in barrier infrared photodetectors
Yen Le Thi, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori
国内会議 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 口頭（一般）
2020年11月 -
GPU-accelerated Monte Carlo simulation of quasi-ballistic phonon transport in Si
Yuma Fujita, Yuhei Suzuki, Yoshinari Kamakura
国内会議 IMFEDK 2020 Satellite event Poster Session ポスター（一般）
2020年11月 -
新発電システムの IoT 端末用への応用 －数理解析や性能予測
鎌倉 良成
国内会議 イノベーション・ジャパン2020 ～ 大学見本市 Online その他
2020年09月-2020年11月 -
Estimation of Phonon Mean Free Path in Small-Scaled Si Wire by Monte Carlo Simulation
Yuhei Suzuki, Yuma Fujita, Khotimatul Fauziah, Takuto Nogita, Hiroya Ikeda, Takanobu Watanabe, Yoshinari Kamakura
国際会議 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 口頭（一般）
2020年09月-2020年10月 -
[第4回薄膜・表面物理分科会論文賞受賞記念講演] ナノワイヤ界面制御による熱電出力因子増大方法論
石部 貴史, 留田 純希, 渡辺 健太郎, 鎌倉 良成, 森 伸也, 成瀬 延康, 目良 裕, 山下 雄一郎, 中村 芳明
国内会議 第67回応用物理学会春季学術講演会 その他
2020年03月 -
SISPAD2019レビュー
鎌倉 良成
国内会議 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 口頭（招待・特別）
2019年11月 -
[20a-PB4-2] Siワイヤのゼーベック係数とフォノン輸送特性
野北 崇人, 鈴木 悠平, 荒巻 豪士, ファウジアー ホティマトゥル, 鎌倉 良成, 渡邉 孝信, 池田 浩也
国内会議 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 口頭（一般）
2019年09月 -
[20a-E204-3] Reducing Dark Current Mechanisms for Barrier Infrared Photodetector Using Type II InAs/GaSb Superlattices
Yen Thi Le, Kamakura Yoshinari, Mori Nobuya
国内会議 2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会 口頭（一般）
2019年09月 -
[18p-E303-7] フォトダイオードにおけるアバランシェ増倍現象のシミュレーション解析
屋嘉部 太志, 鎌倉 良成, 森 伸也
国内会議 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 口頭（一般）
2019年09月 -
10μW/cm2-Class High Power Density Silicon Thermoelectric Energy Harvester Compatible with CMOS-VLSI Technology
Motohiro Tomita, Shunsuke Ohba, Yuya Himeda, Ryo Yamato, Keisuke Shima, Takehiro Kumada, Mao Xu, Hiroki Takezawa, Kohei Mesaki, Kazuaki Tsuda, Shuichiro Hashimoto, Tianzhuo Zhan, Hui Zhang, Yoshinari Kamakuri, Yuhei Suzuki, Hiroshi Inokawa, Hiroya Ikeda, Takashi Matsukawa, Takeo Matsuki, Takanobu Watanabe
国際会議 2018 Symposium on VLSI Technology 口頭（一般）
2018年06月 -
Analysis of Anisotropic Ionization Coefficient in Bulk 4H-SiC with Full-Band Monte Carlo Simulation
R. Fujita, K. Konaga, Y. Ueoka, T. Kotani, Y. Kamakura, N. Mori
国際会議 2017 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 口頭（一般）
2017年09月