総説・解説記事 - 小山　政俊

ミストCVD 法によって成膜したc 面サファイア基板上 非晶質GaO_x 薄膜の物性と紫外線応答の評価

山崎 伊織 榎 俊介 西川 未咲 小山 政俊 藤井 彰彦 前元 利彦  ( 共著 )

信学技報 ( 電子情報通信学会 ) ED2025-17   2025年06月

総説・解説（学術雑誌）  日本語

ミストCVD法によって成膜した非晶質Ga2O3薄膜の紫外線応答特性

宮嵜 愛実 山崎 伊織 田中 悠馬 小山 政俊 藤井 彰彦 前元 利彦  ( 共著 )

信学技報 ( 電子情報通信学会 ) ED2024-17   15 - 18   2024年08月

総説・解説（学術雑誌）  日本語

エキシマ光アシストプロセスを用いた 酸化インジウム薄膜トランジスタの作製と特性評価

笠原 綾祐 駒井 伯成 和田 英男 小山 政俊 藤井 彰彦 清水 昭宏 竹添 法隆 山口 紫苑 伊藤 寛泰 前元 利彦  ( 共著 )

信学技報 ( 電子情報通信学会 ) ED2024-15   8 - 11   2024年08月

総説・解説（学術雑誌）  日本語

フレキシブル基板上に室温成膜した酸化亜鉛薄膜の繰返し曲げ耐久試験

前元利彦、大浦紀頼、和田英男、小山政俊、佐々誠彦、藤井彰彦  ( 共著 )

信学技報, vol. 123, no. 41, ED2023-1, pp. 1-6, 2023年5月. ( 電子情報通信学会 ) 123 ( 41, ED2023-1 ) 1 - 6   2023年05月

総説・解説（大学・研究所紀要）  日本語

InAs/AlGaSb 量子細線3分岐構造における非線形電子輸送

小山政俊, 井上達也，藤原健司, 天野直樹，前元利彦, 佐々誠彦, 井上正崇

信学技報 ( 電子情報通信学会 )   ED2007-242  

その他記事  日本語

InAs/AlGaSb 極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果

小山政俊, 高橋寛, 井上達也，前元利彦, 佐々誠彦, 井上正崇

信学技報 ( 電子情報通信学会 )   ED2006-252  

その他記事  日本語

溶液法を用いた酸化亜鉛系薄膜トランジスタの作製および熱ナノインプリント法による酸化物薄膜のダイレクトパターニング

木村史哉, アブドゥラ ハナキ, 孫　屹, 佐々木祥太, 永山幸希, 小山政俊, 前元利彦, 佐々誠彦

信学技報 ( 電子情報通信学会 ) 116 ( 471 ) ED2016-132, 13  

その他記事  日本語

酸化物半導体を用いた薄膜デバイス応用の新展開

前元利彦，孫　屹，松田宗平，佐々木翔太，芦田浩平，カルトシュタイン オリバー， 小山政俊，小池一歩，矢野満明，佐々誠彦

IEICE Technical Report ( 電子情報通信学会 ) ED2015-121   1  

総説・解説（学術雑誌）  日本語