論文 - 藤元　章

Study of spin-orbit interaction in AlxGa1-xAsySb1-y/InAs quantum well by means of persistent photoconductivity effect on weak localization

S. Ishidal, A. Fujimoto, K. Oto, K. Takeda, I. Shibasaki  ( 単著 )

PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B   893   569 - +   2007年

研究論文（国際会議プロシーディングス）  英語

DOI

Study of Spin-Orbit Interaction in AlxGa1

S. Ishida, A. Fujimoto, K. Oto, K. Takeda, I. Shibasaki  ( 単著 )

AIP Conf. Proc.   893   569 - 570   2007年

研究論文（学術雑誌）  英語

Persistent photoconductivity effect on weak localization in AlxGa1-xAsySb1-y/InAs quantum wells

S. Ishida, A. Fujimoto, K. Takeda, I. Shibasaki  ( 単著 )

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4, NO 2   4 ( 2 ) 329 - +   2007年

研究論文（国際会議プロシーディングス）  英語

DOI

Negative persistent photoconductivity effect on weak Anti-localization in hetero-interface of InSb/GaAs(100)

A. Fujimoto, S. Ishida, K. Takeda, A. Okamot, I. Shibasaki  ( 単著 )

PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B   893   567 - +   2007年

研究論文（国際会議プロシーディングス）  英語

DOI

Magneto-quantum transport in AlxGa1-xAsySb1-y/InAs quantum wells

S. Ishida, A. Fujimoto, S. Tamiya, K. Oto, A. Okamoto, I. Shibasaki  ( 単著 )

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4, NO 2   4 ( 2 ) 325 - +   2007年

研究論文（国際会議プロシーディングス）  英語

DOI

Investigation of Rashba Spin-Orbit Interaction in InSb/GaAs(100) Hetero- Interface by means of Negative Persistent Photoconductivity Effect

A. Fujimoto, S. Ishida, A. Okamoto, I. Shibasaki  ( 単著 )

Extended Abs. of 25th Electronic Mat. Symp     148 - 149   2006年

研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  英語

Weak Anti-Localization in Sn-Doped InSb Thin Film Layers on GaAs(100) Substrates

S. Ishida, A. Fujimoto, K. Takeda, A. Okamoto, I. Shibasaki  ( 単著 )

Institute of Physics Conference Series   187   69 - 74   2006年

研究論文（国際会議プロシーディングス）  英語

Quantum Transport in the Accumulation Layer at InSb/GaAs(100) Hetero-Interface

S. Ishida, A. Fujimoto, K. Takeda, A. Souma, K. Oto, A. Okamoto, I. Shibasaki  ( 単著 )

Institute of Physics Conference Series   187   155 - 160   2006年

研究論文（国際会議プロシーディングス）  英語

Magneto-Transport Properties in AlxGa1-xAsySb1-y/InAs Quantum Wells

S. Ishida, A. Fujimoto, K. Takeda, A. Souma, K. Oto, A. Okamoto, I. Shibasaki  ( 単著 )

Institute of Physics Conference Series   187   603 - 608   2006年

研究論文（国際会議プロシーディングス）  英語

Weak Anti-Localization in Sn-Doped InSb Thin Film Layers on GaAs(100) Substrates

S. Ishida, A. Fujimoto, K. Takeda, A. Okamoto, I. Shibasaki  ( 共著 )

Institute of Physics Conference Series   187   69 - 74   2005年

研究論文（学術雑誌）  英語

Magneto-Transport Properties in AlxGa1-xAsySb1-y/InAs Quantum Wells

S. Ishida, A. Fujimoto, K. Takeda, A. Souma, K. Oto, A. Okamoto, I. Shibasaki  ( 共著 )

Institute of Physics Conference Series   187   603 - 608   2005年

研究論文（学術雑誌）  英語

A New Vertically Stacked Poly-Si MOSFET with Partially Depleted SOI Operation for Densely Integrated SoC Applications

H. Matsuoka, T. Mine, K. Nakazato, M. Noniwa, Y. Takahashi, M. Matsuoka, H. Chakihara, A. Fujimoto and K. Okuyama  ( 共著 )

Symposium on VLSI Technology 2004, Digest of Technical Papers     234   2004年

研究論文（学術雑誌）  英語

A new vertically stacked poly-Si MOSFET with partially depleted SOI operation for densely integrated SoC applications

H Matsuoka, T Mine, K Nakazato, M Moniwa, Y Takahashi, M Matsuoka, H Chakihara, A Fujimoto, K Okuyama  ( 単著 )

2004 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS     234 - 235   2004年

研究論文（国際会議プロシーディングス）  英語

Crossover from positive to negative magnetoresistance by the rise of electron temperature for Si : Sb in the variable-range hopping regime

A Fujimoto, H Kobori, T Ohyama, S Ishida, K Satoh, T Kusaka, Y Kakehi  ( 単著 )

PHYSICA B-CONDENSED MATTER   324 ( 1-4 ) 1 - 8   2002年11月

研究論文（学術雑誌）  英語

DOI

Weak Anti-Localization in δ-Doped Sb layer of Si

A. Fujimoto, H. Kobori, T. Ohyama, S. Ishida  ( 単著 )

physica status solidi (b)   230 ( 1 ) 273 - 276   2002年03月

研究論文（学術雑誌）  英語

DOI

Crossover from positive to negative magnetoresistance by the rise of electron temperature for Si:Sb in the variable-range hopping regime

A. Fujimoto, H. Kobori, K. Fujii, T. Ohyama, S. Ishida, K. Satoh, T. Kusaka and Y. Kakehi

Physica B (324巻 pp.1-8)     2002年

研究論文（学術雑誌） 

Weak Anti-Localization in d-Doped Sb layer of Si

A. Fujimoto, H. Kobori, T. Ohyama and S. Ishida

physica status solidi (b) (218巻 pp.273-276)     2002年

研究論文（学術雑誌） 

Comparison of magnetoconductance of the -doped layer and bulk crystal of Si:Sb in the weak localization regime

A. Fujimoto, H. Kobori, K. Fujii, T. Ohyama, S. Ishida, K. Satoh, T. Kusaka, Y. Kakehi  ( 単著 )

Physica B   302   7 - 11   2001年08月

研究論文（学術雑誌）  英語

DOI

Comparison of magnetoconductance of the d-doped layer and bulk crystal of Si:Sb in the weak localization regime

A. Fujimoto, H. Kobori, K. Fujii, T. Ohyama, S. Ishida, K. Satoh, T. Kusaka and Y. Kakehi

Physica B (302-303巻 pp.7-11)     2001年

研究論文（学術雑誌）  英語

Anomalous Transport Phenomena of InSb Film on GaAs(100) Substrate at Low Temperatures

A. Fujimoto, H. Kobori, T. Ohyama, S. Ishida, K. Satoh, T. Kusaka, Y. Kakehi and I. Shibasaki

IPAP (Comference Series 2 pp.236-238)     2001年

研究論文（学術雑誌）