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職名 |
助教授・准教授 |
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研究分野・キーワード |
高周波集積回路、RFフロントエンドモジュール |
論文 【 表示 ／ 非表示 】
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Photoluminescence study of {311} defect-precursors in self-implanted silicon
H. Tsuji, R. Kim, T. Hirose, T. Shano, Y. Kamakura, and K. Taniguchi ( 共著 )
Materials Science and Engineering: B 91/92 ( 30 ) 43 - 45 2002年04月
研究論文（学術雑誌） 英語
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Atomic configuration study of implanted F in Si based on experimental evidence and ab initio calculations
H. Tsuji, R. Kim, T. Hirose, T. Shano, Y. Kamakura, and K. Taniguchi ( 共著 )
Materials Science and Engineering: B 91/92 ( 30 ) 148 - 151 2002年04月
研究論文（学術雑誌） 英語
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Influences of point and extended defects on As diffusion in Si
R. Kim, T. Hirose, T. Shano, H. Tsuji, and K. Taniguchi ( 共著 )
Japanese Journal of Applied Physics 41 ( 1 ) 227 - 231 2002年01月
研究論文（学術雑誌） 英語
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Anomalous phosphorus diffusion in Si during postimplantation annealing
R. Kim, Y. Furuta, S. Hayashi, T. Hirose, T. Shano, H. Tsuji, and K. Taniguchi ( 共著 )
Applied Physics Letters 78 ( 24 ) 3818 - 3820 2001年06月
研究論文（学術雑誌） 英語
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低エネルギー注入ボロンの低温熱処理時におけるキンク濃度の解析
古田善一, 金良守, 夏建新, 青木丈典, 斎藤朋也, 鎌倉良成, 谷口研二 ( 共著 )
電子情報通信学会論文誌 C-II J83-C-II 731 - 735 2000年08月
研究論文（学術雑誌） 日本語
工業所有権 【 表示 ／ 非表示 】
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Directional coupler
特許
特許：US11837770
Kenta Seki, Ryangsu Kim, Katsuya Shimizu
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2023年12月05日
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Directional coupler
特許
特許：US11699983
Daisuke Tokuda, Ryangsu Kim, Yasushi Shigeno, Katsuya Shimizu
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2023年07月11日
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Directional coupler
特許
特許：US11509034
Kenta Seki, Yasushi Shigeno, Daisuke Tokuda, Ryangsu Kim, Katsuya Shimizu. Kazuhito OSAWA
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2022年11月22日
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Directional coupler
特許
特許：US11489243
Ryangsu Kim
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2022年11月01日
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Directional coupler
特許
特許：US11456517
Kenta Seki, Yasushi Shigeno, Daisuke TOKUDA, Ryangsu Kim, Katsuya Shimizu, Kazuhito OSAWA
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2022年09月27日
研究発表 【 表示 ／ 非表示 】
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Directivity Improvement of Directional Coupler with Adaptive Complex Termination Impedance
Keisuke Ninomiya , Yuta Miyazaki , Kazuhito Osawa , Kenta Seki , Ryangsu Kim
国際会議 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC) 2023 口頭（一般）
2023年12月 -
Dual-Band Single-Output WLAN Directional Coupler in a SOI CMOS Process
Ryangsu Kim, Kenta Seki, Kazuhito Osawa
国際会議 IMFEDK 2022 口頭（一般）
2022年11月 -
A 10.8mA Single Chip Transceiver for 430MHz Narrowband Systems in 0.15um CMOS
G. Hayashi, A. Sawada, T. Morie, K. Matsuyama, Ryangsu Kim, S. Yoshida, A. Matsumoto, K. Hijikata, K. Matsukawa, Y. Tamura, Jun Ogawa, T. Takita
国際会議 ISSCC 2006 口頭（一般）
2006年02月 -
Realization of ultra-shallow junction: suppressed boron diffusion and activation by optimized fluorine co-implantation
T. Shano, R. Kim, T. Hirose, Y. Furuta, H. Tsuji, M. Furuhashi, K. Taniguchi
国際会議 IEDM 2001 口頭（一般）
2001年12月 -
Modeling of arsenic transient enhanced diffusion and background boron segregation in low-energy As+ implanted Si
Ryangsu Kim, T. Aoki, T. Hirose, Y. Furuta, S. Hayashi, T. Shano, K. Taniguchi
国際会議 IEDM 2000 口頭（一般）
2000年12月