淀 徳男 (ヨド トクオ)

-YODO Tokuo

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職名

教授

研究分野・キーワード

窒化物半導体、薄膜、MBE、LED、植物工場、マイコン制御

プロフィール

青色LEDに使われるGaN等の窒化物半導体研究を長年実施してきました。最近ではInNという長波長域の窒化物研究に注力し、赤外から紫外域までの広範囲の光スペクトルを制御する為の材料物性研究分野が専門です。ここ5年は各種波長のLEDを用いた植物工場の研究に力を注いでいます。

出身学校 【 表示 / 非表示

  • 大阪大学   理学部   物理学科   日本国

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 大阪大学  理学研究科  物理学  修士課程  修了  日本国

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 大阪大学 -  博士(理学)  電子・電気材料工学

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 1983年12月
    -
    継続中
     

    応用物理学会  日本国

研究分野 【 表示 / 非表示

  • 農業環境・情報工学

  • 電子・電気材料工学

 

研究経歴 【 表示 / 非表示

  • 多色LEDを用いた植物工場の研究

    研究期間:2013年04月  -  継続中

    植物工場、多色LED、光量子密度測定、栽培技術

    国内共同研究

  • 窒化物半導体を用いた超高効率太陽電池の提案

    研究期間:2013年04月  -  継続中

    窒化物、ECRプラズマ、エピタキシャル成長、Si基板、InN、GaN、低温成長、低ダメージプロセス技術

    個人研究

  • 植物工場における植物の生長に及ぼす光量子の影響を明らかにする研究

    研究期間:2013年04月  -  継続中

    植物、穀物、光量子密度、光合成、植物工場、波長

    個人研究

  • 植物工場における植物の生長に及ぼす光量子の影響を明らかにする研究

    研究期間:2013年04月  -  継続中

    植物、穀物、光量子密度、光合成、植物工場、波長

    個人研究

  • 一軸圧縮下での表面ナノ修飾基板上固相結晶化による特異な酸化物構造誘起と新機能創出

    科学研究費補助金  

    研究期間:2012年  -  2014年

    一軸圧縮、表面ナノ修飾基板、固相結晶化、酸化物構造誘起

    国内共同研究

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論文 【 表示 / 非表示

  • Functional surface on periodical nanostructure self-organised by laser scanning with scanning speed of 300 m/min

    Satoru Kaneko, Takeshi Ito, Chihiro Kato, Satomi Tanaka, Yosuke Ono, Tokuo Yodo, Hiroyasu Nakata, Akira Matsuno, Takashi Nire, Akifumi Matsuda and Mamoru Yoshimoto

    Optics and Lasers in Engineering, Vol.51 (2013) pp.294–298.     2012年06月

    研究論文(学術雑誌)  英語

  • ECR-MBE法により作製したSi(111)基板上GaNヘテロエピタキシャル成長

    淀 徳男、山田 勝、原田義之  ( 共著 )

    Memories of the Institute of Technology, Series A, Vol.55,No.1(2010)pp.29-41.   55 ( 1 ) 29 - 41   2010年05月

    日本語

  • Inflence of GaN intermediate layer on film characteristics and growth process of InN with N-polarity on Si(111) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy

    T. Yodo, T. Mizutani, A. Fujimoto and Y. Harada

    28th Electronic Materials Symposium, Laforet Biwako, Shiga, Extended Abstracts     2009年07月

  • Optical and electrical properties of ZnO single crystal coated with KCl

    A. Fujimooto, Y. Harada, K. Doi, H. Fukui and T. Yodo

    27th Electronic Materials Symposium, Laforet Shuzenji, Izu, Extended Abstracts     2008年07月

  • Effect of removal of ion damage using magnets (20-250 Gauss) on film characteristics and growth process of InN on Si(111) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy

    T. Yodo, K. Hirata, S. Tagawa, A. Fujimoto and Y. Harada

    27th Electronic Materials Symposium, Laforet Shuzenji, Izu, Extended Abstracts     2008年07月

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総説・解説記事 【 表示 / 非表示

  • 共同利用研究報告書 平成18年度、Anual Report 2006-2007 「半導体基板上に作製した窒化ガリウムインジウム混晶膜の成長初期過程に関する研究」

    共著、淀 徳男

    ( 東京工業大学応用セラミックス研究所 )   2007年04月

  • 信学技報Vol. 106、No. 269、電子情報通信学会技術研究報告[電子デバイス]、ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN2+イオンダメージ軽減の効果

    淀 徳男、嶋田照也、田川澄人、西本 晃、日高志郎、石井圭太、瀬川紘史、平川順一、原田義之

    ( 電子情報通信学会 )   2006年10月

  • 信学技報Vol. 106、No. 269、電子情報通信学会技術研究報告[電子デバイス]、ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響

    淀 徳男、白石雄起、平田清隆、富田博之、西江紀明、堀部裕明、岩田圭吾、原田義之

    ( 電子情報通信学会 )   2006年10月

  • 信学技報Vol. 105、No. 90、電子情報通信学会技術研究報告[電子デバイス]、ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長

    淀 徳男、田本清温、嶋田照也、二口博行、藤井洋平、真岡岳史、原田義之.

    ( 電子情報通信学会 )   2005年05月

  • 信学技報Vol. 105、No. 90、電子情報通信学会技術研究報告[電子デバイス]、ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長

    淀 徳男、山本高裕、高山智行、香山卓史、中村俊喜.

    ( 電子情報通信学会 )   2005年05月

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受賞 【 表示 / 非表示

  • 第9回電子情報通信学会支部長賞学生会奨励賞

    電子情報通信学会関西支部   その他の賞 

    受賞国:その他

  • 第9回電子情報通信学会支部長賞学生会奨励賞

    電子情報通信学会関西支部   その他の賞 

    受賞国:その他

研究発表 【 表示 / 非表示

  • InNとSiの間の界面遷移による赤外吸収

    H. Nakata, E.L. Estrellado and T. Yodo

    国際会議  28th International Conference on Defects in Semiconductors  口頭(一般)

    2015年07月
     
     

  • MBE法で作製したSi基板上InNの赤外吸収の温度依存性

    淀 徳男

    光物性研究会  ( 神戸大学 )  口頭(一般)

    2014年12月
     
     

    【発表要旨集】 第25回光物性研究会論文集  117  -  120

  • ECR-MBE法で作製したグラフェン単層膜付/SiO2/Si(001)基板上 GaN薄膜(t~250nm)成長におけるグラフェン単層膜の影響 (II)

    淀 徳男

    75回応用物理学会秋季学術講演会  ( 北海道大学 )  口頭(一般)

    2014年09月
     
     

    【発表要旨集】 第75回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集  69  -  69

  • iフォトダイオードを使った波長依存PPFD(WD-PPFD)の提案と植物工場の高効率多色パワーLED光源によるミズナの生長におけるWD-PPFDの影響

    淀 徳男

      ( 明治大学駿河台キャンパス )  口頭(一般)

    2014年09月
     
     

    【発表要旨集】 日本生物環境工学会2014年東京大会  94  -  95  2014年09月

  • Si基板上に成長させたInNの近赤外吸収と反射

    足達摩維、淀徳男、中田博保

      ( 東海大学湘南キャンパス )  口頭(一般)

    2014年03月
     
     

    【発表要旨集】 日本物理学会第69回年次大会

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担当授業科目(学内) 【 表示 / 非表示

  • 電子情報通信実験Ia   ( 実験実習 )

  • 電子情報通信実験Ib   ( 実験実習 )

  • 集積エレクトロニクス   ( 講義 )

  • 淀川と環境   ( 講義 )

  • 淀川と人間   ( 講義 )

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その他教育活動及び特記事項 【 表示 / 非表示

  • 「量子エレクトロニクス入門」の講義ファイルの改善

    2017年04月
    -
    2017年08月

    視聴覚教材  単独

    代表者名:淀 徳男 

  • 「量子エレクトロニクス入門」の講義ファイルの改善

    2016年04月
    -
    2016年08月

    視聴覚教材  単独

    代表者名:淀 徳男 

 

学外の社会活動(高大・地域連携等) 【 表示 / 非表示

  • ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNのエピタキシャル成長

    2005年08月
     
     

  • ECR-assisted MBE growth of InN and InGaN alloy on Si(111) substrates (Invited)

    2004年05月
     
     

  • Visible emissions near 1.9-2.2 eV from hexagonal InN films grown by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy

    2003年11月
     
     

  • 「光物性とその応用」―近赤外オプトエレクトロニクス材料の光物性―、「InNの結晶成長とその特異な光物性の最近」

    2003年10月
     
     

  • 「ECRプラズマMBE法を用いたSi基板上InNの成長と評価」

    2003年03月
     
     

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