前元 利彦 (マエモト トシヒコ)

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職名

教授

 

研究経歴 【 表示 / 非表示

  • InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いたバリスティック電子素子の開発

    研究期間:

    InAs/AlGaSb,半導体ヘテロ構造,電子波干渉効果,高速トランジスタ,量子ドット構造

  • InAs/AlSb系量子ナノ構造を用いたテラヘルツ波単一光子検出器の開発

    研究期間:

    InAs/AlSb,ナノ構造,テラヘルツ波,光子検出器

  • 高誘電率酸化物(High-k)薄膜を用いた高速トランジスタの作製と評価

    研究期間:

    High-k材料,HEMT(高電子移動度トランジスタ)

  • レーザMBE法による酸化物薄膜の作製と新機能デバイスの開発

    研究期間:

    レーザMBE,酸化物薄膜,酸化亜鉛,高誘電率酸化膜

  • InAs/AlGaSbヘテロ構造を用いたバリスティック電子素子の開発

    研究期間:

    InAs/AlGaSb,半導体ヘテロ構造,電子波干渉効果,高速トランジスタ,量子ドット構造

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論文 【 表示 / 非表示

  • Fabrication and Characterization of Antimonide-Based Composite-Channel InAs/AlGaSb HFETs using High-k Gate Insulators

    T. Kiso, H. Yoshikawa, Y. Ishibashi, K. Nishisaka, K. Ogata, T. Maemoto, S. Sasa and M. Inoue

    Proceedings of International Meeting for Future of Electron Devices, pp. 88-89     2011年05月

  • 酸化亜鉛トランジスターの開発とバイオセンサー応用

    矢野満明,小池一歩,佐々誠彦,前元利彦,井上正崇

    材料 60-5, pp. 447~456     2011年05月

  • Flexible Zinc Oxide Thin-Film Transistors using Oxide buffer layers on Polyethylene Napthalate Substrates

    T. Higaki, T. Tachibana, Y. Kimura, T. Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue

    Proceedings of International Meeting for Future of Electron Devices, pp. 92-93     2011年05月

  • Intense terahertz radiation from InAs thin films

    S. Sasa, S. Umino, Y. Ishibashi, T. Maemoto, M. Inoue, K. Takeya, M. Tonouchi

    J. Infrared Milli Terahz Waves, 32, pp. 646-654     2011年

  • Pulsed laser deposition of ZnO grown on glass substrates for realizing the high performance thin-film transistors

    T. Yoshida, T. Tachibana, T. Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue

    Appl Phys A 101, pp. 685–688     2010年12月

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著書 【 表示 / 非表示

  • ZnO系の最新技術と応用 (第5章 酸化亜鉛系トランジスタとその応用)

    前元 利彦

    シーエムシー出版  2007年01月  単行本(学術書) 

    【原書情報】  佐々誠彦,小池一歩,前元利彦,矢野満明,井上正崇

総説・解説記事 【 表示 / 非表示

  • 文部科学省平成23年度私立大学学術研究高度化推進事業-戦略的研究基盤形成支援事業- セキュアライフを支援するデバイス・システム基盤研究拠点の形成 中間研究成果報告書(平成23年度)

    佐々,前元,矢野,棚橋,石原,原田,小池,尾形,上辻,筒井,小寺,大松,寺田,吉村

    ( 大阪工業大学工学研究科 ナノ材料マイクロデバイス研究センター )   2012年03月

  • 文部科学省平成18年度私立大学学術研究高度化推進事業-ハイテクリサーチセンター整備事業- 人に優しい機能集積ナノ材料の創製とマイクロデバイス応用 最終研究成果報告書

    矢野,棚橋,野村,中村,中辻,平野,佐々,井上,原田,小池,藤本,小寺,羽賀,前元,上辻,神村

    ( 大阪工業大学 )   2011年03月

  • 文部科学省平成18年度私立大学学術研究高度化推進事業-ハイテクリサーチセンター整備事業- 人に優しい機能集積ナノ材料の創製とマイクロデバイス応用 中間研究成果報告書

    矢野,棚橋,野村,中村,中辻,平野,佐々,井上,原田,小池,藤本,小寺,羽賀,前元,上辻,神村

    ( 大阪工業大学 )   2009年03月

  • 文部科学省平成18年度私立大学学術研究高度化推進事業-ハイテクリサーチセンター整備事業- 人に優しい機能集積ナノ材料の創製とマイクロデバイス応用 中間研究成果報告書

    矢野,棚橋,野村,中村,中辻,平野,佐々,井上,原田,小池,藤本,小寺,羽賀,前元,長谷川,神村

    ( 大阪工業大学 )   2008年03月

  • 文部科学省平成18年度私立大学学術研究高度化推進事業-ハイテクリサーチセンター整備事業- 人に優しい機能集積ナノ材料の創製とマイクロデバイス応用 中間研究成果報告書

    矢野,棚橋,野村,中村,中辻,平野,佐々,井上,原田,小池,藤本,小寺,羽賀,前元,長谷川,神村

    ( 大阪工業大学 )   2007年03月

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受賞 【 表示 / 非表示

  • 平成23年電気関係学会関西連合大会 連合大会奨励賞 講演題目「酸化物バッファ層を用いたフレキシブル基板上酸化亜鉛透明薄膜トランジスタの作製と評価」(木村祐太:指導学生,2011年10月31日発表)

    電気関係学会関西連合大会実行委員会   その他の賞 

    受賞国:その他

  • IEEE EDS Kansai Chapter IMFEDK Student Paper Award(日垣友宏:指導学生) Titled:“Flexible Zinc Oxide Thin-Film Transistors using Oxide Buffer Layers on Polyethylene Napthalate Substrates,Paper ID: PB-9, May 19th, 2011.

    IEEE EDS Kansai Chapter   その他の賞 

    受賞国:その他

研究発表 【 表示 / 非表示

  • High transconductance zinc oxide thin-film transistors on flexible plastic substrates

    Y. Kimura, T. Higaki, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue

      口頭(一般)

    2012年02月
     
     

  • Electron transport properties in self switching nano-diodes

    T. Kiso, K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, M. Inoue

      口頭(一般)

    2012年02月
     
     

  • Room temperature growth of zinc oxide thin films by pulsed laser deposition and its flexible thin-film transistor application

    Y. Kimura, T. Higaki, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue

      口頭(一般)

    2011年11月
     
     

  • 酸化物バッファ層を用いたフレキシブル基板上酸化亜鉛透明薄膜トランジスタの作製と評価

    木村祐太,日垣友宏,前元利彦,佐々誠彦,井上正崇

      口頭(一般)

    2011年10月
     
     

  • Fabrication of high transconductance InZnO transparent thin film transistors by sol-gel method

    Y. Fujihara, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue

      口頭(一般)

    2011年10月
     
     

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