佐々 誠彦 (ササ シゲヒコ)

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職名

教授

研究分野・キーワード

化合物半導体デバイス

ホームページ

https://www.oit.ac.jp/www-ee/server/semicon/index.php

出身学校 【 表示 / 非表示

  • 大阪大学   工学部   電気工学科   日本国

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 大阪大学  工学系研究科  電気工学専攻  博士課程  修了  日本国

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 大阪大学 -  工学博士  電子デバイス・電子機器

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 1982年
    -
    継続中
     

    応用物理学会  日本国

  • 2000年04月
    -
    継続中
     

    電気学会  日本国

研究分野 【 表示 / 非表示

  • 半導体工学

 

研究経歴 【 表示 / 非表示

  • InAs薄膜からのテラヘルツ放射特性の研究

    研究期間:

    InAs, テラヘルツ放射,terahertz radiation, MBE

  • 原子間力顕微鏡陽極酸化プロセスによる InAs 系ナノスケールデバイスの開発

    研究期間:

    InAs, AFM, 原子間力顕微鏡, 陽極酸化, ナノスケールデバイス, 量子効果

  • 酸化亜鉛系透明トランジスタの開発

    研究期間:

    酸化亜鉛,ZnO, ZnMgO, 透明トランジスタ,分子線結晶成長法,レーザアブレーション

  • 原子間力顕微鏡陽極酸化プロセスによる InAs 系ナノスケールデバイスの開発

    研究期間:

    InAs, AFM, 原子間力顕微鏡, 陽極酸化, ナノスケールデバイス, 量子効果

  • 酸化亜鉛系透明トランジスタの開発

    研究期間:

    酸化亜鉛,ZnO, ZnMgO, 透明トランジスタ,分子線結晶成長法,レーザアブレーション

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論文 【 表示 / 非表示

  • Reflection layer mediated enhancement of terahertz radiation utilizing heavily-doped InAs thin films

    Micha? Kozub, Shigehiko Sasa, Masayoshi Tonouchi  ( 共著 )

    Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves   36 ( 5 ) 423   2015年05月

    研究論文(学術雑誌)  英語

    DOI

  • 高速反射分光法によるテラヘルツ放射素子用InAs薄膜の電子濃度非破壊測定

    Micha? A Kozub, Shigehiko Sasa  ( 共著 )

    Optical and Quantum Electronics   48 ( 8 ) 384  

    研究論文(学術雑誌)  英語

    DOI

  • (Zn, Mg) Cr2O4-TiO2系 2 層半導体セラミックスによる直熱型ガスセンサ

    寺田二郎, 大松繁,佐々誠彦,矢野満明  ( 共著 )

    電気学会誌   136   127   2016年

    研究論文(学術雑誌)  日本語

  • Radiation hardness of single-crystalline zinc oxide films

    K. Koike, T. Aoki, S. Sasa, M. Yano, S. Gonda  ( 共著 )

    Physica Status Solidi (C)   9 ( 7 ) 1577   2012年05月

    研究論文(学術雑誌)  英語

  • Characteristics of MoO3 films grown by molecular beam epitaxy

    佐々 誠彦  ( 共著 )

    Japanese Journal of Applied Physics   53 ( 5S1 ) 05FF04   2014年04月

    研究論文(学術雑誌)  英語

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著書 【 表示 / 非表示

  • 半導体デバイス工学

    佐々 誠彦

    オーム社  2012年09月  単行本(学術書) 

    【原書情報】  大村泰久(編集)

  • バイオセンサ

    佐々 誠彦

    シーエムシー出版,酸化亜 鉛の最先端技術と将来,監修:山本哲也  2011年01月  単行本(学術書) 

    【原書情報】  小池一歩,尾形健一,佐々誠彦,矢野満明

  • ZnO系の最新技術と応用 (第5章 酸化亜鉛系トランジスタとその応用)

    佐々 誠彦

    シーエムシー出版  2007年01月  単行本(学術書) 

    【原書情報】  佐々誠彦,小池一歩,前元利彦,矢野満明,井上正崇

  • 高周波半導体材料・デバイスの新展開 (第 II 編,第1章 2 InAs系ヘテロ接合デバイスとMBE成長技術)

    佐々 誠彦

    シーエムシー出版  2006年11月  単行本(学術書) 

    【原書情報】  佐々誠彦,井上正崇

総説・解説記事 【 表示 / 非表示

  • 酸化亜鉛系電子デバイスの耐放射線特性に関する研究

    矢野満明,小池一歩,佐々誠彦, 權田俊一,石神龍也,久米恭

    ( 若狭湾エネルギー研究センター年報 13 巻,p. 54 )   2011年10月

研究発表 【 表示 / 非表示

  • インジウムヒ素薄膜からのテラヘルツ波放射強度増強のための反射層作製条件の最適化

    西坂和一,高山和久,前元利彦,佐々誠彦,井上正崇, 斗内政吉

      口頭(一般)

    2012年11月
     
     

  • InAs 薄膜からのTHz 波放射強度増強のための反射層の検討

    西坂和一,高山和久,前 元利彦,佐々誠彦,井上正崇,斗内政吉

      口頭(一般)

    2012年09月
     
     

  • 新対向ターゲット式スパッタ法による単結晶ZnO薄膜のエピタキシャル成長

    田辺慎太朗,向井和哉,小池一歩,前元利彦,佐々誠彦,矢野満明,門倉貞夫,中光 豊

      口頭(一般)

    2012年09月
     
     

  • 酸化モリブデン薄膜の分子線エピタキシャル成長

    藤本龍吾,和田涼太,小池一歩,佐々誠彦,矢野満明

      口頭(一般)

    2012年09月
     
     

  • フレキシブルデバイス応用を目指したZnOセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性

    木村祐太,孫  屹,前元利彦,佐々誠彦,井上正崇

      口頭(一般)

    2012年09月
     
     

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担当授業科目(学内) 【 表示 / 非表示

  • 電子回路工学 I   ( 講義 )

  • 電子物性論   ( 講義 )

 

学外の社会活動(高大・地域連携等) 【 表示 / 非表示

  • 高性能ZnO 系FET の開発 ‐デバイス応用と高周波特性‐

    2010年01月
     
     

  • バイオセンサー応用に向けた高性能ZnO薄膜トランジスタの開発

    2009年11月
     
     

  • ZnO系トランジスタの応用(依頼講演) -Si基板上への集積化の可能性-

    2009年09月
     
     

  • High-performance ZnO TFTs and their applications

    2009年08月
     
     

  • ZnO電子デバイスと応用

    2008年03月
     
     

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